MOSFET/JFET漏電流測(cè)試用源表

選擇普賽斯儀表的理由：
1、國(guó)產(chǎn)自主研發(fā)
      技術(shù)雄厚，多項(xiàng)磚利，自主可控
2、可定制化方案
      聚焦鮮進(jìn)器件，提供成熟可落地定制化方案
3、對(duì)標(biāo)進(jìn)口
      國(guó)貨精品，品質(zhì)保障，對(duì)標(biāo)進(jìn)口產(chǎn)品

數(shù)字源表特色：

數(shù)字源表指一種可作為四象限的電壓源或電流源提供精確的電壓或電流，同時(shí)可同步測(cè)量電流值或電壓值的測(cè)量?jī)x表；當(dāng)電源時(shí)可作為可編程電壓源或可編程電流源；當(dāng)萬用表時(shí)可作為數(shù)字電壓表(電流源,輸出電流為0,測(cè)電壓)或數(shù)字電流表(電壓源,輸出電壓為0,測(cè)電流)或數(shù)字歐姆表(電流源,輸出電流為一定值,測(cè)電壓)；當(dāng)電子負(fù)載時(shí)可作為可編程恒壓負(fù)載或可編程恒流負(fù)載；當(dāng)電源/測(cè)量表組合（SMU）時(shí)給電壓測(cè)量電流或給電流測(cè)量電壓；

國(guó)產(chǎn)S型數(shù)字源表集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，最大輸出電壓達(dá)300V，最小電流分辨率10pA，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中:半導(dǎo)體IC或元器件，功率器件，傳感器，有機(jī)材料與納米材料等特性測(cè)試和分析。

以下是數(shù)字源表的典型應(yīng)用領(lǐng)域:
納米材料與器件
– 石墨烯
– 碳納米管
– 納米線
– 低功耗納米結(jié)構(gòu)

• 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
– 晶圓
– 薄膜

• 有機(jī)材料與器件
– 電子墨水
– 印刷電子技術(shù)

• 能量效率與照明
– LED/AMOLED
– 光伏/太陽電池
– 電池

• 分立器件與無源組件
– 雙引線: 電阻器、二極管、齊納二極管、LED、傳感器

– 三引線: 小信號(hào)雙極節(jié)型晶體管(BJT)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET)，等等

• 材料特性分析
–電阻率
–霍爾效應(yīng)

典型的器件參數(shù)測(cè)試如下：

晶體管/整流器：正向電壓(Vf)、反向電壓(Vr)、反向漏電流(Ir)

MOSFET/JFET：輸出特性(Vds-Id)、轉(zhuǎn)移特性(Vgs-Id)、導(dǎo)通電阻(Rdson)、擊穿電壓(BVdss,BVdg)、漏電流(Idss,Igss)

雙極性晶體管/IGBT：飽和電壓(Vcesat)、輸出特性(Vce-Ic)、擊穿電壓(Vceo,Vebo,Vcbo)、漏電流(Iceo,Ices,Iebo)

三端雙向交流開關(guān)/可控硅:閉鎖電壓(Vdrm,Vrrm)、漏電流(Idrm,Irrm)、吸池(保持)電流(Ih)、閉鎖電流(Ii)

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