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國產(chǎn)源表搭建集成電路實驗平臺目的
通過實驗動手操作，加深對半導體物理理論知識的理解，掌握半導體材料和不同器件性能的表征方法及基本實驗技能，培養(yǎng)分析問題和解決問題的能力。
產(chǎn)品簡介
詳細介紹
國產(chǎn)源表搭建集成電路實驗平臺目的
通過實驗動手操作，加深對半導體物理理論知識的理解，掌握半導體材料和不同器件性能的表征方法及基本實驗技能，培養(yǎng)分析問題和解決問題的能力。
本科生集成電路實驗平臺實驗?zāi)夸?/strong>
實驗一：金屬-氧化物-半導體場效應(yīng)晶體管特性IV特性測試實驗
實驗二：四探針法測量半導體電阻率測試實驗
實驗三： MOS電容的CV特性測試實驗
實驗四：半導體霍爾效應(yīng)測試實驗實驗
實驗五：激光二極管LD的LIV特性測試實驗
實驗六：太陽能電池的特性表征實驗
本科生集成電路實驗平臺優(yōu)勢
滿足本科生基礎(chǔ)教學實驗中微電子器件和材料測試需求
測試設(shè)備簡單易用，專業(yè)權(quán)W，方便學生動手操作
核心設(shè)備測試精度高，滿足新材料和新器件的指標要求
測試軟件功能齊全，平臺化設(shè)計，有專人維護支持，與專業(yè)測試軟件使用相同架構(gòu)
以基礎(chǔ)平臺為起點，可逐步升級，滿足日益增加的實驗室測試需求
本科生集成電路實驗平臺基本功能
實驗名稱 | 測試參數(shù) |
金屬 - 氧化物 - 半導體場效應(yīng)晶體管特性的 IV 特性測試實驗 | l 輸出特性曲線 l 轉(zhuǎn)移特性曲線 l 跨導 gm l 擊穿電壓 BVDS l |
四探針法測量半導體電阻率測試實驗
| l 四探針法電阻率ρ l 材料阻值 R |
MOS 電容的 CV 特性測試實驗（低頻 + 高頻） | l CV 特性曲線 |
半導體霍爾效應(yīng)測試實驗 | l 霍爾電壓 VH l 霍爾電阻率ρ l 霍爾系數(shù) RH l 載流子濃度 n l 霍爾遷移率 u |
激光二極管 LD 的 LIV 特性測試
| l LIV 特性曲線 l 閾值電流 Ith l 閾值電流對應(yīng)電壓值 Vth l 拐點 Kink l 線性電阻 Rs |
太陽能電池的特性表征
| l 開路電壓 Voc l 短路電流 Isc l 功率*值 Pmax l 填充因子 FF l 轉(zhuǎn)換效率η l 串聯(lián)電阻 Rs l 旁路電阻 Rsh |
本科生集成電路實驗平臺核心
測試平臺的核心– 源測量單元（源表， SMU）
普賽斯國產(chǎn)源表四表合一 四象限模式
四線/開爾文測試功能
小信號測試
滿足*器件和材料測試需求
交流測試使用LCR表
探針臺：4寸或6寸手動探針臺
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