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[供應(yīng)]S系列-MOSFET管電性能分析用源表
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  • S系列-MOSFET管電性能分析用源表
貨物所在地：
湖北武漢市
產(chǎn)地：
武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)
更新時間：
2024-11-01 13:11:36
有效期：
2024年11月1日 -- 2025年2月1日
已獲點擊：
72
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（聯(lián)系我們，請說明是在 化工儀器網(wǎng) 上看到的信息，謝謝?。?/p>

產(chǎn)品簡介

MOSFET管電性能分析用源表集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能，最大輸出電壓達(dá)300V，最小電流分辨率10pA，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測試中

詳細(xì)介紹

MOSFET管電性能分析用源表集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能，最大輸出電壓達(dá)300V，最小電流分辨率10pA，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測試中:半導(dǎo)體IC或元器件，功率器件，傳感器，有機材料與納米材料等特性測試和分析。


以下是數(shù)字源表的典型應(yīng)用領(lǐng)域:

納米材料與器件

– 石墨烯

– 碳納米管

–    納米線

– 低功耗納米結(jié)構(gòu)


• 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

– 晶圓

– 薄膜


• 有機材料與器件

– 電子墨水

– 印刷電子技術(shù)


• 能量效率與照明

– LED/AMOLED

– 光伏/太陽電池

–    電池


• 分立器件與無源組件

– 雙引線:   電阻器、二極管、齊納二極管、LED、傳感器


– 三引線: 小信號雙極節(jié)型晶體管(BJT)、場效應(yīng)晶體管  (FET)，等等

• 材料特性分析

–電阻率

–霍爾效應(yīng)


典型的器件參數(shù)測試如下：

晶體管/整流器：正向電壓(Vf)、反向電壓(Vr)、反向漏電流(Ir)

MOSFET/JFET：輸出特性(Vds-Id)、轉(zhuǎn)移特性(Vgs-Id)、導(dǎo)通電阻(Rdson)、擊穿電壓(BVdss,BVdg)、漏電流(Idss,Igss)

雙極性晶體管/IGBT：飽和電壓(Vcesat)、輸出特性(Vce-Ic)、擊穿電壓(Vceo,Vebo,Vcbo)、漏電流(Iceo,Ices,Iebo)


以上是關(guān)于MOSFET管電性能分析用源表的信息，更多有關(guān)MOSFET管電性能分析用源表的信息找武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表



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