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產(chǎn)品簡介
詳細介紹
武漢普賽斯儀表有限公司坐落于國家*產(chǎn)業(yè)基地“武漢·中國光谷"，是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務于一體的技術型企業(yè)，擁有以碩士、博士學歷為主的研發(fā)團隊和經(jīng)驗豐富的管理服務團隊。
普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度臺式數(shù)字源表、脈沖式源表、集成插卡式源表、窄脈沖電流源、高精度高壓電源等，*國產(chǎn)空白。主要應用于半導體器件的測試工藝，為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動程序和高效算法軟件組合，幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案。為半導體封測廠家提供相關測試儀表、測試平臺，以及相關技術服務，滿足行業(yè)對測試效率、測試精度，以及低成本的挑戰(zhàn)。
武漢普賽斯將以服務客戶為中心，追求可持續(xù)發(fā)展為道路，精益求精，堅持不懈，努力將自身打造成B桿。
IGBT擊穿電壓測試源測單元訂貨信息
型號 | E100 | E200 | E300 |
源精度 | 0.1% | 0.1% | 0.1% |
測量精度 | 0.1% | 0.1% | 0.1% |
最大功率 | 100W | 220W | 300W |
最小電壓量程 | 100V | 100V | 100V |
最大電壓量程 | 1000V | 2200V | 3000V |
最小電流量程 | 1uA | 1uA | 1uA |
最大電流量程 | 100mA | 100mA | 100mA |
IGBT擊穿電壓測試源測單元簡介
高電壓源測單元具有輸出及測量電壓高（3000V）、能輸出及測量微弱電流信號（1nA）的特點。設備工作在第一象限，輸出及測量電壓0~3000V，輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時支持豐富的I-V掃描模式。
設備可應用于IGBT擊穿電壓測試、IGBT動態(tài)測試母線電容充電電源、IGBT老化電源、防雷二極管耐壓測試、壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對于快速測量擊穿點具有重大意義。
技術指標
電壓性能參數(shù)：
電壓 | 源 | 測量 | ||
量程 | 分辨率 | 準確度±(% rdg.+volts) | 分辨率 | 準確度±(% rdg.+volts) |
100V | 10mV | 0.1%±40mV | 10mV | 0.1%±40mV |
600V | 60mV | 0.1%±100mV | 60mV | 0.1%±100mV |
1000V | 100mV | 0.1%±300mV | 100mV | 0.1%±300mV |
1500V | 150mV | 0.1%±400mV | 150mV | 0.1%±400mV |
2200V | 220mV | 0.1%±700mV | 200mV | 0.1%±700mV |
3000V | 300mV | 0.1%±900mV | 300mV | 0.1%±900mV |
電流性能參數(shù)：
電流 | 源 | 測量 | ||
量程 | 分辨率 | 準確度±(% rdg.+volts) | 分辨率 | 準確度±(% rdg.+volts) |
1uA | 100pA | 0.1%±1nA | 100pA | 0.1%±1nA |
10uA | 1nA | 0.1%±5nA | 1nA | 0.1%±5nA |
100uA | 10nA | 0.1%±50nA | 10nA | 0.1%±50nA |
1mA | 100nA | 0.1%±300nA | 100nA | 0.1%±300nA |
10mA | 1uA | 0.1%±5uA | 1uA | 0.1%±5uA |
100mA | 10uA | 0.1%±10uA | 10uA | 0.1%±10uA |
最大輸出功率：300W，3000V/100mA（不同型號有差異）；
輸出電壓建立時間：< 5ms；
輸出接口：KHV（三同軸），支持四線測量；
掃描：支持線性、對數(shù)及用戶自定義掃描；
通信接口：RS232、以太網(wǎng)；
保護：支持急停；
觸發(fā)：支持trig IN及trig out；
尺寸：19英寸1U機箱；
