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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級(jí)電阻，p*電流精準(zhǔn)測(cè)量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。
普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向，深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域，在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)，先后推出了直流源表，脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測(cè)單元等測(cè)試設(shè)備，廣泛應(yīng)用于高校研究所、實(shí)驗(yàn)室，新能源，光伏，風(fēng)電，軌交，變頻器等場(chǎng)景。
2.產(chǎn)品應(yīng)用
功率器件如二極管、三極管、MOS管、IGBT、SIC、GaN；
3.產(chǎn)品特點(diǎn)
高電壓：支持高達(dá)3KV高電壓測(cè)試；
大電流：支持高達(dá)4KA大電流測(cè)試；
高精度：支持uΩ級(jí)電阻、pA級(jí)電流、uV級(jí)精準(zhǔn)測(cè)量；
豐富模板：內(nèi)置豐富的測(cè)試模板，方便用戶快速配置測(cè)試參數(shù)；
配置導(dǎo)出：支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動(dòng)測(cè)試功能；
數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出：支持圖形界面以及表格展示測(cè)試結(jié)果，亦可一鍵導(dǎo)出；
模塊化設(shè)計(jì)：內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可自由配置，方便維護(hù)；
可拓展：支持拓展溫控功能，方便監(jiān)控系統(tǒng)運(yùn)行溫度；
可定制開(kāi)發(fā)：可根據(jù)用戶測(cè)試場(chǎng)景定制化開(kāi)發(fā)
3.技術(shù)指標(biāo)
PMST系統(tǒng)配置 | 關(guān)鍵參數(shù) | 備注 |
P系列 | PW高達(dá)30V/10A、300V/1A | 柵極特性測(cè)試 |
CW高達(dá)300V/0.1A、30V/1A | ||
最小脈沖寬度200uS | ||
HCP系列 | PW高達(dá)30V/100A | IGBT導(dǎo)通壓降、二極管瞬時(shí)前向電壓測(cè)試 |
CW高達(dá)10V/30A | ||
最小分辨率30uV/10pA | ||
最小脈沖寬度80uS | ||
HCPL系列 | 單臺(tái)PW高達(dá)12V/1000A，可多臺(tái)并聯(lián) | |
最小脈沖寬度50uS | ||
E系列 | CW高達(dá)3000V/100mA | IGBT擊穿電壓測(cè)試 |
最小分辨率10mV/100pA | ||
測(cè)量精度 0.1% | ||
電橋 | 頻率范圍：20Hz~1MHz | IGBT各級(jí)間電壓測(cè)試 |
HVP系列提供0~400V直流偏置電壓 | ||
預(yù)置偏置電阻100kΩ | ||
矩陣開(kāi)關(guān) | / | 電路切換及源表切換 |
主機(jī) | / | |
測(cè)試夾具 | 根據(jù)器件封裝形式定制 |
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