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S7-200擴(kuò)展I/O尋址請(qǐng)參考《西門子 S7-2001SITOP 參考》（更新版）S7-200 PLC->功能、編程與調(diào)試->訪問(wèn)S7-200的數(shù)據(jù)-尋址->CPU的集成I/O和擴(kuò)展I/O尋址

模塊使用常見(jiàn)問(wèn)題

在使用模塊時(shí)，除了以上關(guān)于模塊的安裝、接線等問(wèn)題外，我們還會(huì)遇到以下常見(jiàn)問(wèn)題：

（1）當(dāng)CPU 需要停機(jī)調(diào)試時(shí)，S7-200的數(shù)字量輸出狀態(tài)是否可以保持在停機(jī)之前？

在Step 7 Micro/Win 編程軟件中，可以設(shè)置S7-200 CPU模塊停止模式下S7-200數(shù)字量模塊輸出點(diǎn)的狀態(tài)。

設(shè)置步驟請(qǐng)參考《S7-200可編程控制器系統(tǒng)手冊(cè)》第4章PLC的基本概念->S7-200的特性->S7-200允許您設(shè)置停止模式下的數(shù)字量輸出狀態(tài)

理論上和現(xiàn)實(shí)上都是肯定存在的。通?？酥苹蛳鳒p它的做法有五種：1加大電源模塊感和輸出電源模塊容濾波根據(jù)開(kāi)關(guān)電源模塊源的公式，電源模塊感內(nèi)電源模塊流波動(dòng)大小和電源模塊感值成反比，輸出紋波和輸出電源模塊容值成反比。所以加大電源模塊感值和輸出電源模塊容值可以減小紋波。同樣，輸出紋波與輸出電源模塊容的關(guān)系：vripple=Imax/(Cof)?？梢钥闯?，加大輸出電源模塊容值可以減小紋波。通常的做法，對(duì)于輸出電源模塊容，使用鋁電源模塊解電源模塊容以達(dá)到大容量的目的。但是電源模塊解電源模塊容在克制高頻噪聲方面結(jié)果不是很好，而且ESR也比較大，所以會(huì)在它旁邊并聯(lián)一個(gè)陶瓷電源模塊容，來(lái)填補(bǔ)鋁電源模塊解電源模塊容。
       電流與服從數(shù)據(jù)20V40V60V80V0.01A11.70%17.30%19.00%17.10%0.075A48.00%55.80%57.50%57.80%0.15A62.30%68.8。細(xì)致數(shù)據(jù)如表-2和圖-10所示。表-3是全電壓范圍下的滿載服從和紋波電流數(shù)據(jù)?？梢钥闯黾y波電流的體現(xiàn)也很良好，峰-峰值小于2.5%，都在70mA以下。另外,ICL5101的THD和PF性能也很出色油漆鐵桶，細(xì)致數(shù)據(jù)分別如圖-11和圖-12所示。負(fù)載下，THD可低于5%。甚至在50%負(fù)載及277Vac條件下，THD小于10%，遠(yuǎn)低于EN61000-3-2classC要求。半小時(shí)前上傳下載附件(39.34KB)后是短。

從而實(shí)現(xiàn)快速的開(kāi)關(guān)操作。Crss/Ciss比率是一個(gè)很是的參數(shù)，有助于防止米勒效應(yīng)導(dǎo)致的任何非常導(dǎo)通，并可以更好地控制di/dt和dV/dt速率，配-漏二極管Qrr反向恢復(fù)電源模塊荷和反向恢復(fù)軟度，可明顯降低器件對(duì)EMI的度。為知足低耗散功率和電源模塊磁的要求，STL285N4F7AG了電源模塊容比值(Crss/Ciss)。圖2是STL285N4F7AG與競(jìng)品的電源模塊容比值比較圖。圖2.STL285N4F7AG與競(jìng)品的Crss/Ciss電源模塊容比測(cè)量值比較此外，圖3所示是意法半導(dǎo)體的STL285N4F7AG的體-漏二極管與競(jìng)品的性能測(cè)量值比較圖。圖STL285N4F7AG與競(jìng)品的體-漏二極管性能測(cè)量值比較測(cè)量參。