高壓CVT介質(zhì)損耗測(cè)試儀

高壓CVT介質(zhì)損耗測(cè)試儀，采用復(fù)數(shù)電流法，測(cè)量電容、介質(zhì)損耗及其它參數(shù)。測(cè)試結(jié)果精度高，便于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化測(cè)量； 儀器采用了變頻技術(shù)來(lái)消除現(xiàn)場(chǎng)50Hz工頻干擾，即使在強(qiáng)電磁干擾的環(huán)境下也能測(cè)得可靠的數(shù)據(jù)。

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

高壓CVT介質(zhì)損耗測(cè)試儀采用復(fù)數(shù)電流法，測(cè)量電容、介質(zhì)損耗及其它參數(shù)。測(cè)試結(jié)果精度高，便于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化測(cè)量； 儀器采用了變頻技術(shù)來(lái)消除現(xiàn)場(chǎng)50Hz工頻干擾，即使在強(qiáng)電磁干擾的環(huán)境下也能測(cè)得可靠的數(shù)據(jù)； 儀器采用大屏幕液晶顯示器，測(cè)試過(guò)程通過(guò)漢字菜單提示既直觀又便于操作； 儀器操作簡(jiǎn)便，測(cè)量過(guò)程由微處理器控制，只要選擇好合適的測(cè)量方式，數(shù)據(jù)的測(cè)量就可在微處理器控制下自動(dòng)完成； 一體化機(jī)型，內(nèi)附標(biāo)準(zhǔn)電容和高壓電源，便于現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試，減少現(xiàn)場(chǎng)接線。

 

主要特點(diǎn)：

?1、高壓CVT介質(zhì)損耗測(cè)試儀具有正/反接線工作模式。    

2、只需配備標(biāo)準(zhǔn)油杯和測(cè)試線，即可實(shí)現(xiàn)油介損測(cè)量。

3、采用變頻技術(shù)來(lái)消除現(xiàn)場(chǎng)工頻干擾，即使在強(qiáng)電磁干擾的環(huán)境下也能測(cè)得可靠的數(shù)據(jù)。

4、過(guò)流保護(hù)功能，在試品短路或擊穿時(shí)儀器不受損壞。

5、內(nèi)附標(biāo)準(zhǔn)電容和高壓電源，便于現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試，減少現(xiàn)場(chǎng)接線。

6、大屏幕液晶顯示器，漢字菜單提示測(cè)試過(guò)程，既直觀又便于操作。

產(chǎn)品參數(shù)：

準(zhǔn)確度：   Cx:     ±（讀數(shù)×1%+1pF）
tgδ: ±（讀數(shù)×1%+0.00040）
抗干擾指標(biāo)： 變頻抗干擾，在200%干擾下仍能達(dá)到上述準(zhǔn)確度
電容量范圍： 內(nèi)施高壓： 3pF～60000pF/10kV    60pF～1μF/0.5kV
外施高壓： 3pF～0.5μF/10kV     60pF～10μF/0.5kV
分辨率：  蕞高0.001pF，4位有效數(shù)字
tgδ范圍：    不限，分辨率0.001%，電容、電感、電阻三種試品自動(dòng)識(shí)別。
試驗(yàn)電流范圍：10μA～1A
內(nèi)施高壓：設(shè)定電壓范圍：0.5～10kV   電壓分辨率：1V    精度：2%
蕞大輸出電流：200mA
升降壓方式：連續(xù)平滑調(diào)節(jié)
試驗(yàn)頻率： 45、50、55、60、65Hz單頻
45/55Hz、55/65Hz、47.5/52.5Hz自動(dòng)雙變頻
頻率精度：±0.01Hz
外施高壓：正接線時(shí)蕞大試驗(yàn)電流1A，工頻或變頻40-70Hz
反接線時(shí)蕞大試驗(yàn)電流10kV/1A，工頻或變頻40-70Hz
CVT自激法低壓輸出：輸出電壓3～50V，輸出電流3～30A
測(cè)量時(shí)間：約36s，與測(cè)量方式有關(guān)
輸入電源： 180V～270VAC，50Hz±1%，市電或發(fā)電機(jī)供電
計(jì)算機(jī)接口： 標(biāo)準(zhǔn)RS232接口
打印機(jī)：      煒煌A7熱敏微型打印機(jī)
環(huán)境溫度： -10℃～50℃
相對(duì)濕度： <90%
外形尺寸：460×360×350mm
儀器重量：28kg

工作原理：

在交流電壓作用下，電介質(zhì)要消耗部分電能，這部分電能將轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮墚a(chǎn)生損耗。這種能量損耗叫做電介質(zhì)的損耗。當(dāng)電介質(zhì)上施加交流電壓時(shí)，電介質(zhì)中的電壓和電流間存在相角差Ψ，Ψ的余角δ稱為介質(zhì)損耗角，δ的正切tgδ稱為介質(zhì)損耗角正切。tgδ值是用來(lái)衡量電介質(zhì)損耗的參數(shù)。儀器測(cè)量線路包括一標(biāo)準(zhǔn)回路(Cn)和一被試回路(Cx)。標(biāo)準(zhǔn)回路由內(nèi)置高穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器與測(cè)量線路組成，被試回路由被試品和測(cè)量線路組成。測(cè)量線路由取樣電阻與前置放大器和A/D轉(zhuǎn)換器組成。通過(guò)測(cè)量電路分別測(cè)得標(biāo)準(zhǔn)回路電流與被試回路電流幅值及其相位等，再由單片機(jī)運(yùn)用數(shù)字化實(shí)時(shí)采集方法，通過(guò)矢量運(yùn)算便可得出試品的電容值和介質(zhì)損耗正切值。

儀器內(nèi)部已經(jīng)采用了抗干擾措施，保證在外電場(chǎng)干擾下準(zhǔn)確測(cè)量。