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抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀(CVT變比)

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更新時(shí)間:2020-07-08 11:39:47瀏覽次數(shù):651

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

應(yīng)用領(lǐng)域 醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,生物產(chǎn)業(yè),文體,地礦    
抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀(CVT變比),標(biāo)準(zhǔn)回路由內(nèi)置高壓穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器與標(biāo)準(zhǔn)電阻網(wǎng)絡(luò)組成,由計(jì)算機(jī)實(shí)時(shí)采集標(biāo)準(zhǔn)回路電流與測(cè)試回路的電流幅值及其相位差,并算出被測(cè)試品電容容值(CX)和介質(zhì)損耗(tgδ)。

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品概述:

抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀(CVT變比),標(biāo)準(zhǔn)回路由內(nèi)置高壓穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器與標(biāo)準(zhǔn)電阻網(wǎng)絡(luò)組成,由計(jì)算機(jī)實(shí)時(shí)采集標(biāo)準(zhǔn)回路電流與測(cè)試回路的電流幅值及其相位差,并算出被測(cè)試品電容容值(CX)和介質(zhì)損耗(tgδ)。

抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀(CVT變比)技術(shù)指標(biāo):

1、試驗(yàn)環(huán)境溫度:10℃~30℃(LCD液晶屏應(yīng)避免長(zhǎng)時(shí)間日照)

2、高壓介質(zhì)損耗測(cè)試儀,相對(duì)濕度:20%~80%

3、供電電源:電壓:220V±10%,頻率50±1Hz

4、外形尺寸:長(zhǎng)*寬*高=470mm*320mm*360mm

5、重量:18kg

6、輸出功率:1.5KVA

7、顯示分辨率:3位、4位(內(nèi)部全是6位)

8、測(cè)試方法:正接法、反接法、外接試驗(yàn)電壓法

9、測(cè)量范圍:內(nèi)接試驗(yàn)電壓:

tgδ:99.9%

Cx :30 pF<Cx(10KV)<60000 pF

10KV  Cx<60000 pF

5KV   Cx<80000 pF

2.5KV  Cx<0.3uF

外接試驗(yàn)電壓:由外接試驗(yàn)變壓器輸出功率而定

10、基本測(cè)量誤差:介質(zhì)損耗(tgδ):1%±0.09%  

電容容量(Cx):1.5%±1pF

11、分辨率: tgδ:0.01%    Cx :0.1pF

工作原理:

儀器測(cè)量線路包括一路標(biāo)準(zhǔn)回路和一路測(cè)試回路,如圖三所示。

標(biāo)準(zhǔn)回路由內(nèi)置高壓穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器與標(biāo)準(zhǔn)電阻網(wǎng)絡(luò)組成,由計(jì)算機(jī)實(shí)時(shí)采集標(biāo)準(zhǔn)回路電流與測(cè)試回路的電流幅值及其相位差,并算出被測(cè)試品電容容值(CX)和介質(zhì)損耗(tgδ)。

數(shù)據(jù)采集電路全部采用高壓穩(wěn)定器件,采集板和采集計(jì)算機(jī)被鐵盒*浮空屏蔽,儀器外殼接地屏蔽;另外使用了光導(dǎo)數(shù)據(jù)、浮空地、大面積地、單點(diǎn)地、數(shù)字濾波等抗干擾技術(shù),加之計(jì)算機(jī)對(duì)數(shù)百個(gè)電網(wǎng)周期的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理,使測(cè)量結(jié)果穩(wěn)定、***、可靠。

儀器高壓器的高壓側(cè)和測(cè)量線路都是浮地的,用戶可根據(jù)不同的測(cè)量對(duì)象和測(cè)量需要,靈活地采用多種接地方式。如采用“正接線法”進(jìn)行測(cè)量時(shí),可將“E”點(diǎn)接地;而當(dāng)采用“反接法”進(jìn)行測(cè)量時(shí),可將“UH”點(diǎn)接地,而將E點(diǎn)浮空。

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