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變頻抗干擾介質損耗測試儀生產廠家

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更新時間:2020-07-08 11:42:53瀏覽次數:864

聯(lián)系我們時請說明是化工儀器網上看到的信息,謝謝!

產品簡介

應用領域 醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,生物產業(yè),文體,地礦    
變頻抗干擾介質損耗測試儀生產廠家,通過計算機接口,實現測量、數據處理和報表輸出,也可實現多功能變頻介質損耗測試儀內部測量軟件升級。一臺計算機可控制32臺儀器,可集成到綜合高壓試驗車上。

詳細介紹

產品概述:

變頻抗干擾介質損耗測試儀生產廠家數據采集電路全部采用高壓穩(wěn)定器件,采集板和采集計算機被鐵盒*浮空屏蔽,儀器外殼接地屏蔽;另外使用了光導數據、浮空地、大面積地、單點地、數字濾波等抗干擾技術,加之計算機對數百個電網周期的數據進行處理,使測量結果穩(wěn)定、***、可靠。

儀器高壓器的高壓側和測量線路都是浮地的,用戶可根據不同的測量對象和測量需要,靈活地采用多種接地方式。如采用“正接線法”進行測量時,可將“E”點接地;而當采用“反接法”進行測量時,可將“UH”點接地,而將E點浮空。

產品功能特點:

1、分明,容錯性強;緩速升壓,可迅速降壓,聲光報警。

防“容升”:測量大容量試品時會出現電壓抬高的“容升”效應,介質損耗測試儀能自動跟蹤輸出電壓,保持試驗電壓恒定。

抗震性能:介質損耗測試儀采用*抗震設計,可耐受強烈長途運輸震動、顛簸而不會損壞。

高壓電纜:介質損耗測試儀為耐高壓絕緣導線,可拖地使用,電纜長度對測量結果無影響。

2、介質損耗測試儀采用數字波形分析和電橋自校準等技術,介質損耗測試儀使得正/反接線的準確度和穩(wěn)定性*,介質損耗測試儀配合高精度三端標準電容器,實現高精度介損測量。介質損耗測試儀所有量程輸入電阻低于2Ω,消除了測量電纜附加電容的影響。

3、介質損耗測試儀具有正/反接線、內/外標準電容、內/外高壓和CVT測量等多種工作模式。中文圖文菜單,大屏幕背光液晶屏顯示。測試數據豐富,自動分辨電容、電感、電阻型試品。一體化結構,全自動智能化測量,使用攜帶方便。

4、變頻抗干擾,介質損耗測試儀在200%干擾下能準確測量,測試數據穩(wěn)定,介質損耗測試儀適合在現場做抗干擾介損試驗。

5、介質損耗測試儀內置串聯(lián)和并聯(lián)兩種介損測量模型,方便多功能變頻介質損耗測試儀檢定。

6、介質損耗測試儀自動識別50Hz/60Hz系統(tǒng)工作電源,并支持發(fā)電機供電,即使頻率波動大,也可正常測量。

7、通過外接標準電容器接口,介質損耗測試儀可外接油杯做精密絕緣油介損試驗,介質損耗測試儀可外接固體材料測量電極做精密絕緣材料介損試驗

8、介質損耗測試儀可外接高壓標準電容器,自動識別外接高壓電源頻率40Hz~70Hz,介質損耗測試儀允許用工頻電源或串連諧振電源做大容量高電壓介損試驗。

9、介質損耗測試儀帶有CVT自激法變頻測量接口,介質損耗測試儀可以設置高壓電壓/電流、低壓電壓/電流4個保護限制,確保人身和設備安全。

10、CVT自激磁測量時,C1/C2可一次接線同時測出,介質損耗測試儀自動補償母線接地和標準電容器的分壓影響,無須換線和外接任何配件。

11、介質損耗測試儀具有反接線低壓屏蔽功能,在220kVCVT母線接地情況下,對C11可進行不拆線10kV反接線介損測量,介質損耗測試儀并同時測出下端屏蔽部分的電容量和介損值。

12、介質損耗測試儀具有CVT變比測量功能,可測量CVT變比、極性和相位誤差。

13、介質損耗測試儀具有測試回路接觸不良放電提示功能,以方便判別接線是否可靠。

14、介質損耗測試儀帶日歷時鐘,可存儲100組測量數據,自帶微型打印機可打印輸出,方便用戶出測試報告。

15、通過計算機接口,實現測量、數據處理和報表輸出,也可實現多功能變頻介質損耗測試儀內部測量軟件升級。一臺計算機可控制32臺儀器,可集成到綜合高壓試驗車上。

變頻抗干擾介質損耗測試儀生產廠家技術指標:

 1、試驗環(huán)境溫度:10℃~30℃(LCD液晶屏應避免長時間日照)

 2、高壓介質損耗測試儀,相對濕度:20%~80%

 3、供電電源:電壓:220V±10%,頻率50±1Hz

 4、外形尺寸:長*寬*高=470mm*320mm*360mm

 5、重量:18kg

 6、輸出功率:1.5KVA

 7、顯示分辨率:3位、4位(內部全是6位)

 8、測試方法:正接法、反接法、外接試驗電壓法

 9、測量范圍:內接試驗電壓:

tgδ:99.9%

Cx :30 pF<Cx(10KV)<60000 pF

10KV  Cx<60000 pF

5KV   Cx<80000 pF

2.5KV  Cx<0.3uF

外接試驗電壓:由外接試驗變壓器輸出功率而定

10、基本測量誤差:介質損耗(tgδ):1%±0.09%  

電容容量(Cx):1.5%±1pF

11、分辨率: tgδ:0.01%    Cx :0.1pF

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