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日本napson便攜式導(dǎo)電薄膜無(wú)損（渦流法）電阻測(cè)量?jī)xEC-80P
閱讀：1321 發(fā)布時(shí)間：2021-2-1日本napson便攜式導(dǎo)電薄膜無(wú)損（渦流法）電阻測(cè)量?jī)xEC-80P
產(chǎn)品特點(diǎn)
- 只需觸摸手持式探頭即可進(jìn)行電阻測(cè)量。
- 在電阻率/薄層電阻測(cè)量模式之間輕松切換
- 使用JOG撥盤輕松設(shè)置測(cè)量條件
- 連接到連接器的電阻測(cè)量探針是可更換的，因此它支持廣泛的電阻。
- （電阻探頭：多可以使用2 + PN判斷探頭）
測(cè)量規(guī)格
測(cè)量目標(biāo)
相關(guān)（硅，多晶硅，碳化硅等）半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料
的新材料/相關(guān)功能性材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜相關(guān)的（金屬，ITO等）
硅基外延離子注入的樣品
化合物與半導(dǎo)體有關(guān)的（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）測(cè)量尺寸
無(wú)論樣品大小和形狀如何均可進(jìn)行測(cè)量（但是，大于20mmφ且表面平坦）
測(cè)量范圍
[電阻率] 1 m至200Ω·cm
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500 um）
[抗熱阻] 10 m至3 kΩ/ sq
（*所有探頭類型的總范圍）*有關(guān)每種探頭類型的測(cè)量范圍，請(qǐng)參閱以下內(nèi)容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（ 0.5至60Ω-??cm）
（4）S高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
（5）太陽(yáng)能晶片：5至500Ω/□（0. 2至15Ω-cm）