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日本Shinkuu磁控離子濺射儀產(chǎn)品優(yōu)缺點分析

閱讀:41          發(fā)布時間:2025-7-16

日本Shinkuu(真空)磁控離子濺射儀廣泛應(yīng)用于電子顯微鏡(SEM/TEM)樣品制備、半導體檢測及材料研究領(lǐng)域。其產(chǎn)品線覆蓋從便攜式小型設(shè)備到工業(yè)級大面積鍍膜系統(tǒng),具有高精度、操作簡便等優(yōu)勢,但也存在一些局限性。以下為詳細分析:

一、優(yōu)點分析

1. 高精度鍍膜,適用于多種觀察需求

  • 靶材多樣性:支持Au、Pt、Ag、W、Ti等多種金屬靶材,滿足不同倍率觀察需求。

    • 低倍率(10,000倍以下):Au靶提供良好的導電性和對比度。

    • 高倍率(100,000倍以上):W靶和Pt靶可提供更細的顆粒度,適用于納米級觀察。

  • 均勻成膜:磁控濺射技術(shù)確保金屬薄膜均勻沉積,減少樣品充電效應(yīng),提高SEM/TEM成像質(zhì)量。

2. 操作便捷,自動化程度高

  • 一鍵式操作(如MSP-mini、MSP-1S),無需復雜設(shè)置,適合快速樣品預處理。

  • 全自動鍍膜(如MSP-20UM、MSP-40T),可編程參數(shù),提高實驗重復性。

3. 產(chǎn)品線豐富,適應(yīng)不同應(yīng)用場景

  • 小型實驗室設(shè)備(MSP-mini、MSP-1S):體積小,適合桌面SEM預處理。

  • 多功能研究型設(shè)備(MSP-20系列):支持樣品旋轉(zhuǎn)、傾斜鍍膜,適用于復雜結(jié)構(gòu)樣品。

  • 工業(yè)級晶圓鍍膜(MSP-200in、MSP-300in):支持8英寸和12英寸晶圓,提高半導體檢測效率。

4. 低溫濺射,減少樣品損傷

  • 采用磁控濺射技術(shù),基板溫度低,適用于熱敏感材料(如塑料、生物樣品)。

  • 部分型號(如MSP-20TK)采用風冷磁控靶,防止靶材過熱影響樣品。

5. 高真空穩(wěn)定性

  • 高型號(如MSP-40T)配備渦輪分子泵,實現(xiàn)高真空環(huán)境,提高薄膜純度。

二、缺點分析

1. 設(shè)備成本較高

  • 進口設(shè)備價格較貴,高性能型號(MSP-40T)更昂貴。

2. 對靶材純度和環(huán)境要求高

  • 需使用高純度靶材(如99.99% Pt、Au),否則可能影響鍍膜質(zhì)量。

  • 需在高真空環(huán)境下運行,對實驗室條件(潔凈度、穩(wěn)定性)要求較高。

3. 靶材利用率較低

  • 磁控濺射的靶材侵蝕不均勻,導致部分靶材浪費,增加長期使用成本。

4. 部分型號功能有限

  • 小型設(shè)備(如MSP-mini):僅支持φ30mm樣品,不適用于大尺寸樣品。

  • 晶圓鍍膜設(shè)備(MSP-200in/300in):僅適用于半導體行業(yè),通用性較低。

5. 維護復雜

  • 需定期更換泵油、清理真空腔體,維護成本較高。

三、總結(jié)與選型建議

需求場景推薦型號優(yōu)勢局限性
實驗室常規(guī)SEM鍍膜MSP-1S操作簡單,內(nèi)置泵,性價比高靶材選擇有限
高分辨率觀察(100,000倍+)MSP-20TK(W靶)超細顆粒,適合納米材料設(shè)備成本高
半導體晶圓鍍膜MSP-200in(8英寸)支持大面積鍍膜,提高效率僅適用于半導體行業(yè)
多材料研究MSP-40T支持多種金屬,高真空穩(wěn)定價格昂貴

結(jié)論:Shinkuu磁控濺射儀在鍍膜均勻性、操作便捷性及型號多樣性方面表現(xiàn)優(yōu)異,但成本較高,且對使用環(huán)境有一定要求。


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