價(jià)格區(qū)間 | 2萬-5萬 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,農(nóng)業(yè),文體,能源,建材 |
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公式說明
正公式:
本電橋額定的工作頻率f=50Hz,在實(shí)際工作頻率偏離額定頻率時(shí)可用修正式進(jìn)行修正:
tg=f’·tgδ / f
北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司 |
6
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參考價(jià) | ¥ 35000 |
訂貨量 | 1臺(tái) |
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn) |
更新時(shí)間:2024/07/13 20:19:46瀏覽次數(shù):1077
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玻璃介電常數(shù)高壓電橋
0.1~1μH, 1~10μH, 10~100μH,
0.1~lmH, 1~10mH, 10~100mH, 100 mH~1H。
Q值測量:Q值測量范圍:2~1023。 Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。
標(biāo)稱誤差
頻率范圍:20kHz~10MHz; 固有誤差:≤5%±滿度值的2%;工作誤差:≤7%±滿度值的2%;
頻率范圍:10MHz~60MHz; 固有誤差:≤6%±滿度值的2%;工作誤差:≤8%±滿度值的2%。
☆振蕩頻率:振蕩頻率范圍:10kHz~50MHz;頻率分段10~99.9999kHz、100~999.999kHz、1~9.99999MHz、10~60MHz頻率誤差:3×10-5±1個(gè)字。
被測件和測試電路接線柱間的接線應(yīng)盡量短,足夠粗,并應(yīng)接觸良好、可靠,以減少因接線的電阻和分布參數(shù)所帶來的測量誤差;
A/C高頻Q表能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗
電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)極化和電導(dǎo)而產(chǎn)生,重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面極化所引起的.
其他
手不得靠近試件,以免人體感應(yīng)影響造成測量誤差,有屏蔽的試件,屏蔽罩應(yīng)連接在低電位端的接線柱。
防“容升”:測量大容量試品時(shí)會(huì)出現(xiàn)電壓抬高的“容升”效應(yīng),儀器能自動(dòng)跟蹤輸出電壓,保持試驗(yàn)電壓恒定。
注意事項(xiàng)
主調(diào)電容器:30~500pF; 準(zhǔn) 確 度:150pF以下±1.5pF;150pF以上±1%;
存在界面極化時(shí),自由離子的數(shù)目隨電場強(qiáng)度增大而增加,其損耗指數(shù)大值的大小和位置也隨此而變。
相對(duì)濕度:<80%;
防誤操作:具備防誤操作設(shè)計(jì),能判別常見接線錯(cuò)誤,安全報(bào)警。
通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);
CVT保護(hù):設(shè)定自激電壓的過流點(diǎn),一旦超出設(shè)置的電流值,儀器自動(dòng)退出測量,不會(huì)損壞設(shè)備。
調(diào)節(jié)主調(diào)電容或主調(diào)電容數(shù)碼開關(guān)時(shí),當(dāng)接近諧振點(diǎn)時(shí)請(qǐng)緩調(diào);
電容測量:
因?yàn)橹挥猩贁?shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的 。r和 tans幾乎是恒定的,且被用作工程電介質(zhì)材料,然而一般的電介質(zhì)材料在所使用的頻率下測量其介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率。
環(huán)境溫度:0℃~+40℃;
極化的程度隨水分的吸收量或電介質(zhì)材料表面水膜的形成而增加,其結(jié)果使電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電導(dǎo)率增大。因此試驗(yàn)前和試驗(yàn)時(shí)對(duì)環(huán)境濕度進(jìn)行控制是*的.
Q合格指示預(yù)置功能
極化的程度隨水分的吸收量或電介質(zhì)材料表面水膜的形成而增加,其結(jié)果使電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電導(dǎo)率增大。因此試驗(yàn)前和試驗(yàn)時(shí)對(duì)環(huán)境濕度進(jìn)行控制是*的.
高壓保護(hù):試品短路、擊穿或高壓電流波動(dòng),能迅速切斷高壓輸出。
玻璃介電常數(shù)高壓電橋
本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃,相對(duì)濕度為30%-80%條件下,應(yīng)滿足下列表中的技術(shù)指示要求。
在Cn=100 pF R4=3183.2(Ω)時(shí)
測量項(xiàng)目 | 測量范圍 | 測量誤差 |
電容量Cx | 40pF—20000pF | ±0.5% Cx±2pF |
介損損耗tgδ | 0-1 | ±1.5% tgδx±0.0001 |
在Cn=100 pF R4=318.3(Ω)時(shí)
測量項(xiàng)目 | 測量范圍 | 測量誤差 |
電容量Cx | 4pF—2000pF | ±0.5% Cx±3pF |
介損損耗tgδ | 0-0.1 | ±1.5% tgδx±0.0001 |
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