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[供應(yīng)]GDAT-A-100MHZ介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀
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  • GDAT-A-100MHZ介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀
貨物所在地:
北京北京市
更新時(shí)間:
2024-12-11 21:00:28
有效期:
2024年12月11日 -- 2025年6月11日
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100MHZ介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀能產(chǎn)生電極化現(xiàn)象的物質(zhì)統(tǒng)稱為電介質(zhì)。 與絕對(duì)介電常數(shù)的關(guān)系:相對(duì)介電常數(shù)=某介質(zhì)介電常數(shù)與真空介電常數(shù)的比值

詳細(xì)介紹

100MHZ介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀調(diào)諧電容:主電容30-500PF

調(diào)諧電容誤差和分辨率 ±1.5P或<1%< p="">
Q測(cè)量范圍:1-1000自動(dòng)/手動(dòng)量程
Q測(cè)量工作誤差<5%< p="">
Q分辨率:4位有效數(shù),分辨率0.1

技術(shù):
儀器自動(dòng)扣除殘余電感和測(cè)試引線電感。大幅提高測(cè)量精度。
大電容值直接測(cè)量顯示。
數(shù)顯微測(cè)量裝置,直接讀值。

參照國標(biāo)
GB/T 1693-2007

100MHZ介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀 相對(duì)介電常數(shù)(relative dielectric constant),表征介質(zhì)材料的介電性質(zhì)或極化性質(zhì)的物理參數(shù)。其值等于以欲測(cè)材料為介質(zhì)與以真空為介質(zhì)制成的同尺寸電容器電容量之比,該值也是材料貯電能力的表征。也稱為相對(duì)電容率。不同材料不同溫度下的相對(duì)介電常數(shù)不同,利用這一特性可以制成不同性能規(guī)格的電容器或有關(guān)元件。
介質(zhì)在外加電場(chǎng)時(shí)會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電荷而削弱電場(chǎng),原外加電場(chǎng)(真空中)與最終介質(zhì)中電場(chǎng)比值即為介電常數(shù)(permittivity),又稱誘電率。如果有高介電常數(shù)的材料放在電場(chǎng)中,場(chǎng)的強(qiáng)度會(huì)在電介質(zhì)內(nèi)有可觀的下降。

信號(hào)源范圍DDS數(shù)字合成信號(hào):10KHZ-100MHZ

信號(hào)源頻率覆蓋比: 7000:1

信號(hào)源頻率精度6位有效數(shù): 3×10-5 ±1個(gè)字

采樣精度: 12BIT 高精度的AD采樣,保證了Q值的穩(wěn)定性,以及低介質(zhì)損耗材料測(cè)試時(shí)候的穩(wěn)定性

Q測(cè)量范圍: 1-1000自動(dòng)/手動(dòng)量程

Q分辨率: 4位有效數(shù),分辨率0.1

Q測(cè)量工作誤差:<5%

電感測(cè)量范圍 4位有效數(shù),分辨率0.1nH :1nH-140mH分辨率0.1nH

電感測(cè)量誤差 :<3%

調(diào)諧電容 : 主電容17-240pF (一體鍍銀成型,精度高)

電容自動(dòng)搜索 :是(帶步進(jìn)馬達(dá))

電容直接測(cè)量范圍: 1pF~25nF

調(diào)諧電容誤差: ±1 pF或<1%

分辨率: 0.1pF

諧振點(diǎn)搜索: 自動(dòng)掃描

Q合格預(yù)置范圍:  5-1000聲光提示

Q量程切換: 自動(dòng)/手動(dòng)

LCD顯示參數(shù):F,L,C,Q,Lt,Ct,Er ,Tn等

自身殘余電感和測(cè)試引線電感的: 有

自動(dòng)扣除功能

大電容值直接測(cè)量顯示功能: 測(cè)量值可達(dá)25nF

介質(zhì)損耗系數(shù): 精度 萬分之一 / LCD直接顯示

介電常數(shù): 精度 千分之一 / LCD直接顯示

材料測(cè)試厚度:  0.1mm-10mm

技術(shù):
儀器自動(dòng)扣除殘余電感和測(cè)試引線電感。大幅提高測(cè)量精度。
大電容值直接測(cè)量顯示。
數(shù)顯微測(cè)量裝置,直接讀值。

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