反滲透設(shè)備超純水設(shè)備
旭升環(huán)保工程根據(jù)客戶要求設(shè)計反滲透純水設(shè)備,廠家設(shè)計反滲透純水設(shè)備工藝流程,滿足反滲透純水設(shè)備工藝要求,提供反滲透純水設(shè)備相關(guān)資料及設(shè)備安裝和調(diào)試設(shè)備及培訓(xùn)操作人員。
公司專業(yè)生產(chǎn)EDI超純水設(shè)備,提供電子工業(yè)EDI超純水設(shè)備設(shè)計方案,EDI超純水設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域很是廣泛;電池行業(yè)用超純水包括蓄電池生產(chǎn)用純水,鋰電池生產(chǎn)用純水,太陽能電池生產(chǎn)用純水
二、反滲透設(shè)備超純水設(shè)備要特點:
1.產(chǎn)水水質(zhì)高而具有較佳的穩(wěn)定度高
2.連續(xù)不間斷制水,不因再生而停機。
3.模塊化生產(chǎn),并可實現(xiàn)全自動控制。
4.不須酸堿再生,無污水排放。
5.無酸堿再生設(shè)備和化學(xué)藥品儲運。
6.設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊,占地面積小。
7.運行費用及維修成本低。
8.運行操作簡單,勞動強度低
三、超純水設(shè)備基本參數(shù)
1、給水:RO純水,一般水的電導(dǎo)率為4-30us/cm。
2、PH:5.0-8.0(在此PH條件下,水硬度不能太高)
3、溫度:5-35℃
4、進水壓力:較大為4kg/cm2(60psi),較小為1.5kg/cm2(25psi)。
四、EDI的進水要求
反滲透RO產(chǎn)水,電導(dǎo)率1-20μs/cm,較大允許電導(dǎo)率≤30μs/cm(NaCl)。
pH值: 7.5—9
溫度: 15℃--35℃
進水壓力(DIN):0.15—0.4MPa
濃水進水壓力(C ) 0 10 0 3MP IN): 0.10—0.3MPa
產(chǎn)水壓力(DOUT):0.05—0.25MPa
濃水出水壓力(COUT): 0.02—0.2MPa
進水硬度:<1.0ppm(以CaCO 計)(推薦0 5ppm以下)
進水有機物:TOC<0.5ppm
進水硅:SiO2<0.5ppm
進水總CO2:<3ppm