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薄膜生長速率測試儀的特點有哪些？
薄膜生長速率測試儀采用無損的激光技術實時原位檢測薄膜沉積速率、薄膜厚度以及光學常量（n&k），可廣泛的應用于金屬有機化學氣象沉積MOCVD、分子束外延MBE、濺射系統(tǒng)Sputtering和蒸發(fā)系統(tǒng)等薄膜沉積過程的實時原位監(jiān)控。
薄膜生長速率測試儀的特點：
1、實時薄膜沉積速率、薄膜厚度和光學常數（n&k）分析，同時標準偏差統(tǒng)計分析
2、自動程序化校準
3、精密的實時反饋系統(tǒng)
4、程序控制，可實時多層薄膜沉積監(jiān)控和控制
5、多Wafer監(jiān)控功能
6、Wafer基底旋轉監(jiān)控和控制功能
7、所有參量原位實時檢測
8、操作裝配簡單便捷
薄膜生長速率測試儀的特點：
1、實時薄膜沉積速率、薄膜厚度和光學常數（n&k）分析，同時標準偏差統(tǒng)計分析
2、自動程序化校準
3、精密的實時反饋系統(tǒng)
4、程序控制，可實時多層薄膜沉積監(jiān)控和控制
5、多Wafer監(jiān)控功能
6、Wafer基底旋轉監(jiān)控和控制功能
7、所有參量原位實時檢測
8、操作裝配簡單便捷
