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產(chǎn)品分類 品牌分類

光催化及光敏材料測(cè)試設(shè)備

光催化專用太陽光模擬器高準(zhǔn)直紫外光源
鈣鈦礦LED/OLED測(cè)試設(shè)備

發(fā)光效率測(cè)量系統(tǒng) 光譜分析系統(tǒng) 光電性能測(cè)量系統(tǒng)
日本SAN-EI 太陽光模擬器

AAA+級(jí)雙光太陽光模擬器 AAA太陽光模擬器 150W 太陽光模擬器聚光太陽光模擬器太陽能電池IV性能測(cè)試儀太陽能電池組件測(cè)試儀太陽能電池測(cè)試多通道太陽能電池穩(wěn)定性測(cè)試 OLED模擬軟件太陽能電池穩(wěn)定性測(cè)試太陽能電池載流子測(cè)試光纖太陽光模擬器光譜響應(yīng)/量子效率量測(cè)儀全光譜太陽光模擬器太陽能電池量子效率測(cè)試系統(tǒng) AAA級(jí)太陽光模擬器雙燈太陽光模擬器穩(wěn)態(tài)太陽光模擬器瞬態(tài)光電流/光電壓測(cè)試系統(tǒng) 太陽能電池載流子測(cè)試設(shè)備載流子擴(kuò)散長度測(cè)試系統(tǒng)
薄膜性能測(cè)試設(shè)備

薄膜應(yīng)力測(cè)試儀薄膜熱應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng) 薄膜生長速率測(cè)試儀薄膜/涂層殘余應(yīng)力儀電池電極應(yīng)力測(cè)試系統(tǒng) 薄膜應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng) 原位薄膜應(yīng)力測(cè)試儀薄膜應(yīng)力測(cè)試系統(tǒng) kSA BandiT實(shí)時(shí)襯底溫度測(cè)試儀 kSA 400 RHEED分析系統(tǒng) 反射高能電子衍射儀 RHEED 應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)
共聚焦顯微鏡
激光光束質(zhì)量分析儀
納米材料制備設(shè)備

石墨烯制備系統(tǒng)（CVD）噴霧熱解成膜系統(tǒng) 碳納米管CVD制備系統(tǒng) 原子層沉積系統(tǒng) 卷對(duì)卷涂布系統(tǒng) 涂布機(jī)
微納米加工設(shè)備

納米壓印系統(tǒng)
介電/壓電材料測(cè)試設(shè)備

電卡效應(yīng)測(cè)試儀高溫介電測(cè)試系統(tǒng) 熱釋電測(cè)試儀熱刺激電流測(cè)試儀精密壓電系數(shù)測(cè)試儀高分子壓電系數(shù)測(cè)試儀高場寬頻譜介電測(cè)量系統(tǒng) 低溫寬頻介電測(cè)量系統(tǒng) 電滯回線及高壓介電擊穿強(qiáng)度測(cè)試系統(tǒng) 高壓漏電流及熱釋電測(cè)量系統(tǒng) 電容充放電測(cè)試儀
太陽能電池測(cè)試設(shè)備

瞬態(tài)光電壓測(cè)試瞬態(tài)光電流測(cè)試太陽能電池老化測(cè)試太陽能電池老化壽命測(cè)試儀鈣鈦礦太陽能電池測(cè)試儀太陽能電池單體測(cè)試儀太陽能電池測(cè)試夾具太陽能電池IV測(cè)試軟件
氙燈電源
高純度鈣鈦礦前驅(qū)體材料
其他相關(guān)設(shè)備

太陽能電池分析技術(shù)(8)：電容-電壓(C-V)

閱讀：5057 發(fā)布時(shí)間：2022/5/20

本系列文章將介紹用于有機(jī)和鈣鈦礦太陽能電池的不同光電表征技術(shù)，同時(shí)提取和分析重要的器件參數(shù)，例如穩(wěn)態(tài)性能、瞬態(tài)光電壓、瞬態(tài)光電流、電荷載流子遷移率、電荷密度、參雜濃度、內(nèi)建電場、陷阱密度、阻抗、理想因子等。

電容電壓（CV）

在電容電壓（CV）測(cè)量中，阻抗是在恒定頻率下變化偏置電壓的測(cè)量。可根據(jù)圖1公式計(jì)算電容。為了測(cè)量CV，通常使用低于50 kHz的頻率。在大多數(shù)類似二極管的器件中，CV在正向電壓處出現(xiàn)峰值，該峰值的位置通常與探測(cè)頻率、器件厚度無關(guān)。峰值電壓通常小于內(nèi)建電壓，可以將其視為傳導(dǎo)開始的有效值。電容峰值的高度和電壓與載流子注入（注入勢(shì)壘和內(nèi)建電場）有關(guān)。

圖1

電容的增加是由空間電荷效應(yīng)引起的。當(dāng)電壓增加時(shí)，電荷被注入并且耗盡層寬度減小 - 導(dǎo)致電容增加。在一定電壓導(dǎo)通開始后，電容再次降低，甚至可能變?yōu)樨?fù)值，負(fù)電容可能是由復(fù)合或自發(fā)熱引起的。

圖2. CV典型曲線

CV可用于監(jiān)測(cè)電荷注入勢(shì)壘的變化，例如在degradation過程中。在雙層器件中，CV 會(huì)趨于平緩穩(wěn)定態(tài)。在一定電壓下，電荷載流子被注入兩層中的一層，當(dāng)一層充滿載流子時(shí)，其余層會(huì)出現(xiàn)的平板電容效應(yīng)，導(dǎo)致更高的電容穩(wěn)定態(tài)，直到電荷也被注入第二層；只要在不同電壓下注入兩層，這種效應(yīng)就可以被觀察到。具有偶激子的材料，在雙層器件中產(chǎn)生不同的電子和空穴注入電壓。使用CV，可以確定這些材料的宏觀polar sheet charge。

圖3 顯示了所有情況的CV模擬。只有在電荷注入發(fā)生變化的情況下峰值電壓才會(huì)發(fā)生顯著變化。"non-aligned contact"（a）具有較低的內(nèi)建電壓，導(dǎo)致峰值電壓降低。"extraction barrier"（a）具有相同的內(nèi)建電壓，但需要克服額外的勢(shì)壘，因此CV峰值被轉(zhuǎn)移到更高的電壓。在所有其他情況下，僅觀察到CV峰值電壓的輕微變化。因此，CV似乎適合研究電荷注入和內(nèi)建電壓。