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瞬態(tài)&穩(wěn)態(tài)耦合光學法測定TADF材料中的非輻射衰減率(3)

閱讀:1219        發(fā)布時間:2022/8/11
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熱激活延遲熒光(TADF)材料作為有機發(fā)光二極管(OLED)發(fā)射層是具有很大前景的材料,其主要優(yōu)點是通過將非輻射三重態(tài)轉(zhuǎn)換為輻射單重態(tài),使OLED的內(nèi)量子效率達到*。除了具有系統(tǒng)間反向交叉率高(控制三重態(tài)轉(zhuǎn)換)的重要性外,最小化非輻射衰變過程對于實現(xiàn)高效率也非常重要。在這項研究中,我們提供了一種新方法,不僅可以量化TADF過程中涉及的最重要衰減率,還可以從瞬態(tài)和穩(wěn)態(tài)實驗光學數(shù)據(jù)中分別量化單重態(tài)和三重態(tài)的非輻射衰減率。此外,還研究了兩種非輻射衰變方式對內(nèi)量子效率的不同貢獻。最后,將該方法應用于兩種TADF材料的實驗數(shù)據(jù)。

 

主要內(nèi)容

 

實驗結(jié)果

該方法應用于來自兩種Host-Guest系統(tǒng)的實驗數(shù)據(jù),以薄膜的形式,一個包含25ACA,另一個包含26ACA作為發(fā)射TADF分子,在Zeonex作為主體中1wt%。

 

兩種薄膜的PLQYPLQYO2的實驗數(shù)據(jù)如表2所示。圖4顯示了實驗數(shù)據(jù)和結(jié)果擬合。該擬合再現(xiàn)了實驗數(shù)據(jù)的TrPL和PLQYs。在這兩種情況下,其主要在26ACA的情況下,PLQYO2擬合顯示出與實驗值的差異(在25ACA中為0.12而不是0.15,在26ACA中為0.21而不是0.41)。一種可能的解釋是,在方程 (2) 和 (3) 中,我們認為整個群體都被氧氣淬滅,而在實驗中可能并非*如此。與這種可能性一致,PLQYO2的擬合具有誤差。

 

表2 兩種薄膜25ACA和26ACA的PLQY和PLQYO2實驗值。這兩個值代表擬合算法的兩個目標

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表2

 

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圖4. 應用于兩種TADF薄膜的全局擬合結(jié)果:25ACA(a)和26ACA(b)。實驗TrPL衰減與結(jié)果擬合一起顯示。插圖表示PLQY和PLQYO2的實驗值和擬合值。

 

提取的參數(shù)如表3所示,并顯示在圖5中以進行直接比較。結(jié)果表明,26ACA中的kf,kisckrisc均較高,與之前在DPEPO中報告的相似(25ACA:kf=3.6E6 s1;kisc=1.5E7 s1krisc=0.6E6 s1. 26ACA:kf=4.3E6 s1;kisc=2.7E7 s1;krisc=1.8E6 s1)。這項工作在于,我們還能夠估計單重態(tài)的非輻射衰減率和三重態(tài),表明26ACA中的knrs幾乎比25ACA小兩個數(shù)量級,而knrt在兩者之間非常相似。我們觀察到與單重態(tài)的非輻射衰減率相關(guān)的誤差與其他參數(shù)相比相當大。然而,這一事實是意料之中的,因為非輻射衰減率是對實驗結(jié)果影響最小的參數(shù):knrs主要影響TrPL和PLQYO2的迅速衰減,但由于kfkisc通常大兩個或三個數(shù)量級,knrs具有相對較小的影響。因此,擬合算法更難以正確估計它。

 

表3 從擬合算法中提取的衰減率。誤差是從Jacobian矩陣計算出來的,Jacobian矩陣是擬合算法的輸出

 

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表3


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圖5. 從25ACA和26ACA的擬合算法中提取的衰減率圖

 

最后一步,我們可以使用表1中所示的公式和提取率計算兩部薄膜的預期ELQY。得到的ELQY或IQE為25ACA的0.36和26ACA的0.69。計算IQE的傳統(tǒng)方法,假設ηS/T= 1,25ACA和26ACA的預測值分別為0.42和0.71。其中要注意,在這種情況下,PLQYsELQYs之間的差異很小,但如圖2所示,根據(jù)所考慮的具體比率,差異可能會大得多。

 

使用完整的光電模型進行附加分析和進一步建模

我們定義的模型不是特別復雜,只考慮了兩種激發(fā)態(tài),假設磷光不存在。系統(tǒng)的復雜性可以通過包括額外的激發(fā)態(tài)來增加。然而,這種可能性需要定義新的方程,這將顯著增加未知參數(shù)的數(shù)量。在擬合算法中有大量自由參數(shù)可能會導致過度擬合,這會降低提取值的置信度。因此,我們遵循使模型盡可能簡單的前提。盡管如此,我們想在這里簡要討論如何在未來的研究中擴展所提出的模型。

通過包括三重態(tài)的輻射衰變可以引入額外的復雜性。如果發(fā)現(xiàn)磷光對發(fā)射有顯著貢獻(即,如果從低溫下的瞬態(tài)光譜數(shù)據(jù)中清楚地觀察到),則可以在模型中輕松考慮通過使用kph項修改三重態(tài)方程。

模型中可以包含的其他現(xiàn)象是湮滅過程,例如單重態(tài)-單重態(tài)、單重態(tài)-三重態(tài)和三重態(tài)-三重態(tài)湮沒。由于這些過程依賴于激子密度,因此包括使用不同激光強度進行的實驗將是有益的。此外,在這種情況下,方程變?yōu)榉蔷€性,因此有必要從獨立實驗或模擬中量化激子密度。

最后,應考慮激子-極化子猝滅的影響,以便對OLED器件中的IQE進行完整分析和有力預測。模型擴展是可行的。但顯然,需要額外的數(shù)據(jù),例如來自完整設備的瞬態(tài)電致發(fā)光。TrPL在全載波貨單載波上作為擬合目標。此外,還需要提供電荷載流子的數(shù)量,例如通過使用設備模擬。

一旦使用這種簡單的ODE方法提取了整組激子參數(shù),它們就可以用于一維全電光模型,例如Setfos。這個選項將允許通過考慮實際光學特性來模擬OLED整個堆棧和重要現(xiàn)象,例如輻射衰減率(Purcell 因子)和電荷/激子分布的空間依賴性,這是計算湮滅和激子淬火損耗時所必需的??梢酝ㄟ^包括3D主方程模型添加更多詳細信息方程模型,該模型考慮了非局部激子能量轉(zhuǎn)移(Förster,Dexter),跨層界面的能量轉(zhuǎn)移和相關(guān)/不相關(guān)的能量紊亂。

 

結(jié)論

在這項工作中,我們研究了一個被描述為三級模型的TADF系統(tǒng),包括單重態(tài)和三重態(tài)的非輻射衰變。非輻射過程對EQE的影響已被深入研究和量化。

介紹了一種以瞬態(tài)和穩(wěn)態(tài)實驗數(shù)據(jù)(TrPL、PLQY和PLQYO2)為輸入數(shù)據(jù)的全局擬合算法。除了確定kf,kisc和 krisc(它們本身可以通過簡單的TrPL擬合輕松推斷)之外,該算法還允許提取通常很難單獨評估的knrsknrt。

最后,我們將這種擬合方法應用于兩種發(fā)光薄膜的實驗結(jié)果。分析結(jié)果表明,這兩種材料的速率非常相似,除了單重態(tài)的非輻射衰變在25ACA中幾乎比在26ACA中大兩個數(shù)量級。

本研究旨在提供一種新的簡單方法來估計TADF發(fā)射器系統(tǒng)中的所有相關(guān)過程,從而更好地估計真實TADF OLED中的最大EQE。

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