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蘇州大學(xué)Nat. Commun.: 高亮度穩(wěn)定頂發(fā)射量子點(diǎn)發(fā)光二極管

閱讀：781        發(fā)布時(shí)間：2024/7/25
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主要內(nèi)容

頂部發(fā)射可以提高發(fā)光顯示器的亮度、色彩純度和面板制造兼容性。然而，頂發(fā)射量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QLEDs)存在穩(wěn)定性差、光輸出耦合低和不可忽略的角度依賴性等問題，因?yàn)閷?duì)于非紅發(fā)射的QLEDs來說，器件結(jié)構(gòu)與單模光學(xué)微腔不兼容。

在這篇文章中，蘇州大學(xué)材料與化學(xué)化工學(xué)部研究團(tuán)隊(duì)證明通過改進(jìn)確定反射穿透深度的方法和創(chuàng)建降低折射率的過程，可以克服綠色QLED面臨的問題。這帶來了先進(jìn)的器件性能，實(shí)現(xiàn)超過160萬尼特的亮度及204.2 cd A-1的電流效率，T95在1000尼特下的工作壽命為15,600小時(shí)。同時(shí)，研究團(tuán)隊(duì)的設(shè)計(jì)不影響光耦合，因?yàn)樵跊]有光提取方法的情況下提供了29.2%的外部量子效率。最后，通過縮小量子點(diǎn)的發(fā)射線寬，實(shí)現(xiàn)了Δu'v'=0.0052從0°到60°的角色偏移。

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圖1. 量子點(diǎn)與器件結(jié)構(gòu)


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圖2. 設(shè)備性能
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其研究過程中使用巨力光電代理的 Setfos模擬仿真軟件 進(jìn)行光學(xué)模擬仿真，以優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)并提高性能。
文獻(xiàn)信息


Ultrabright and stable top-emitting quantum-dot light-emitting diodes with negligible angular color shift

Mengqi Li, Rui Li, Longjia Wu, Xiongfeng Lin, Xueqing Xia, Zitong Ao, Xiaojuan Sun, Xingtong Chen & Song Chen*


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