日本哈默納科

日本哈默納科CSF-40-XX-2A-GR

圖形化工藝是半導(dǎo)體工藝過程中最重要的工序之它是用來在不同的器件和電路表面上建立平面圖形的工藝過程。這個(gè)工藝過程的目標(biāo)有兩個(gè)，首先是在晶圓表面上產(chǎn)生圖形，這些圖形的尺寸在集成電路或器件設(shè)計(jì)階段建立；第二個(gè)目標(biāo)是將電路圖形正確地定位于晶圓表面。整個(gè)電路圖形必須被正確地置于晶圓表面，它們與晶圓襯底的相對(duì)晶向，以及電路圖形上單獨(dú)的每一部分之間的相對(duì)位置也必須是正確的。

    圖形化工藝是一種基本操作，在操作結(jié)束時(shí)，晶圓表面層上將剩下孔洞或島區(qū)。圖形化工藝也經(jīng)常被稱為光刻( Photolithography )。圖形化工藝過程主要分為光刻工藝和刻蝕工藝。

氣相外延工藝和CVD方法類似，通過包含反應(yīng)物的攜載氣體在襯底表面淀積同質(zhì)材料。外延工藝主要用于在硅襯底表面淀積多晶硅薄膜，這些多晶硅是摻雜的硅晶體且晶向隨機(jī)排列，用于在硅襯底區(qū)域?qū)崿F(xiàn)導(dǎo)電。外延工藝與CVD方法的工藝設(shè)備結(jié)構(gòu)基本相同。使用時(shí)用H2作為攜載氣體。為安全起見，在工藝開始之前采用N2清除反應(yīng)爐中可能存在的O2。外延層的形成過程如圖所示，化學(xué)反應(yīng)公式見式（2-3）所示為一種氣相外延設(shè)備。

    分子束外延是一種在晶體基片上生長(zhǎng)高質(zhì)量晶體薄膜的新技術(shù)。在超高真空條件下，

電路的動(dòng)力回路，均有過流、短路保護(hù)，機(jī)床相關(guān)動(dòng)作都有相應(yīng)的互鎖，以保障設(shè)備和人身安全。

日本哈默納科CSF-40-XX-2A-GR電氣系統(tǒng)具有自診斷功能，操作及維修人員可根據(jù)指示燈及顯示器等隨時(shí)觀察到機(jī)床各部分的運(yùn)行狀態(tài)。

i) 安全保護(hù)  當(dāng)機(jī)床遇到外部突然斷電或自身故障時(shí)，由控制電路的設(shè)計(jì)，機(jī)床可動(dòng)進(jìn)給軸，冷卻電機(jī)等如已在“啟動(dòng)”狀態(tài)者，將進(jìn)入“停止”狀態(tài)；如已在“停止”狀態(tài)的則不可自行進(jìn)入啟動(dòng)狀態(tài)，確保了機(jī)床的安全。另外由于機(jī)床計(jì)算機(jī)內(nèi)的控制程序是“固化”在芯片中的，而零件加工程序是由電池供電保護(hù)的，所以，意外斷電或故障時(shí)，不會(huì)丟失計(jì)算機(jī)內(nèi)存儲(chǔ)的程序菜單。