哈默納科行星減速機(jī)CSG-17-100-2UH

曝光后的硅片從曝光系統(tǒng)又回到硅片軌道系統(tǒng)，需要進(jìn)行短時(shí)間的曝光后烘培。其目的是促進(jìn)光刻膠的化學(xué)反應(yīng)，或者提高光刻膠的粘附性并減少駐波。在光刻膠的產(chǎn)品說明書中，生產(chǎn)商會(huì)提供后烘的時(shí)間和溫度。進(jìn)行后烘時(shí)，硅片放在自動(dòng)軌道系統(tǒng)的一個(gè)熱板上，處理的溫度和時(shí)間需要根據(jù)光刻膠的類型確定。典型后烘的溫度90~130℃，時(shí)間1~2分鐘。

        用化學(xué)顯影液溶解由曝光造成的光刻膠可溶解區(qū)域就是光刻膠顯影，目的是把掩模版圖形準(zhǔn)確復(fù)制到光刻膠中。顯影的要求重點(diǎn)是產(chǎn)生的關(guān)鍵尺寸達(dá)到規(guī)格要求。

     曝光過程包括：聚焦、對(duì)準(zhǔn)、曝光、步進(jìn)和重復(fù)以上過程。

    光學(xué)曝光技術(shù)經(jīng)歷了不同的發(fā)展階段。按照掩模版與硅片的位置關(guān)系區(qū)分，從最初的接觸式曝光，發(fā)展到接近式曝光，直到現(xiàn)在的投影式曝光。曝光光源主要使用紫外光、深紫外光、極紫外光，現(xiàn)今的是：汞燈和準(zhǔn)分子聚光光源。

    哈默納科行星減速機(jī)CSG-17-100-2UH光刻設(shè)備的發(fā)展和使用經(jīng)歷了五個(gè)不同階段，分別是：接觸式光刻機(jī)、接近式光刻機(jī)、掃描投影光刻機(jī)、分步重復(fù)光刻機(jī)、步進(jìn)掃描光刻機(jī)。

   曝光與對(duì)準(zhǔn)過程主要由光刻機(jī)完成。光刻機(jī)造價(jià)高昂，是非常復(fù)雜的系統(tǒng)，涉及的技術(shù)也非常多。光刻機(jī)是芯片生產(chǎn)的關(guān)鍵設(shè)備，也是電子制造的核心技術(shù)設(shè)備

以光學(xué)紫外曝光為例，首先將硅片定位在光學(xué)系統(tǒng)的聚焦范圍內(nèi)，硅片的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與掩模版上相匹配的標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)后，紫外光通過光學(xué)系統(tǒng)和掩模版圖形進(jìn)行投影。掩模版圖形若以亮暗的特征出現(xiàn)在硅片上，這樣光刻膠就曝光了。

    8所示為紫外曝光系統(tǒng)曝光過程示意圖。該曝光系統(tǒng)包括一個(gè)紫外光源、一個(gè)光學(xué)系統(tǒng)、一塊由芯片圖形組成的投影掩模版、一個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)和涂過光刻膠的硅片。硅片放在可以實(shí)現(xiàn)X、Y、Z、?方向運(yùn)動(dòng)的承片臺(tái)上，由對(duì)準(zhǔn)激光系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)承片臺(tái)上的硅片與掩模版之間的對(duì)準(zhǔn)，由光源系統(tǒng)、投影掩模版、投影透鏡實(shí)現(xiàn)硅片上光刻膠的曝光。