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| 產地類別 | 國產 | 應用領域 | 環(huán)保,石油,地礦,電子 |
|---|---|---|---|
| 測量重復性誤差 | 測量重復性誤差≤±20% |
是參照半導體設備和材料國際組織SEMI標準（F28-75）及國家標準GB/T1553-1997設計制造。本設備采用高頻光電導衰減測量方法，適用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量，硅單晶壽命測量ρ≥2Ω?cm，由于對樣塊體形無嚴格要求，因此廣泛應用于工廠的常規(guī)測量
產品分類品牌分類
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產品簡介
詳細介紹
XNC-LT1高頻光電導少數載流子壽命測定儀
是參照半導體設備和材料國際組織SEMI標準（F28-75）及國家標準GB/T1553-1997設計制造。本設備采用高頻光電導衰減測量方法，適用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量，硅單晶壽命測量ρ≥2Ω•cm，由于對樣塊體形無嚴格要求，因此廣泛應用于工廠的常規(guī)測量
導少數載流子壽命測定儀
是參照半導體設備和材料國際組織SEMI標準（F28-75）及國家標準GB/T1553-1997設計制造。本設備采用高頻光電導衰減測量方法，適用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量，硅單晶壽命測量ρ≥2Ω•cm，由于對樣塊體形無嚴格要求，因此廣泛應用于工廠的常規(guī)測量。壽命測量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及缺陷存在的情況，是單晶質量的重要檢測項目。
XNC-LT1高頻光電導少數載流子壽命測定儀、技術參數
（1）壽命測試范圍：5~10000μs；電阻率測量范圍：ρ≥2Ω•cm
測電子級參雜硅單晶片（厚度小于1mm），電阻率范圍：ρ＞0.1Ω•cm（表面可能需要拋光處理）
測量重復性誤差≤±20%
（2）光脈沖發(fā)生裝置
重復頻率＞20~30次/s，光脈沖關斷時間：0.2~1μs，余輝＜1μs
紅外光源波長：1.06～1.09μm（測量硅單晶），紅外光在硅單晶內穿透深度大于500μm如測量鍺單晶壽命需另行配置適當波長的光源
脈沖電源：5A～20A
（3）高頻源
高頻振蕩源：石英諧振器；頻率：30MHz；低輸出阻抗，輸出功率＞1W
（4） 放大器和檢波器
放大倍數約25倍，頻寬：2Hz～2MHz
（5）儀器配置的光源電極臺既可測縱向放置的單晶，亦可測豎放單晶橫載面的壽命
可測單晶尺寸：
斷面豎測：直徑25～150，厚度2mm～500mm
縱向臥測：直徑5mm～150mm，長度50mm～800mm
（6）讀數方式：可選配載流子壽命專用測試軟件系統或專用數字示波器讀數，軟件系統測試操作簡單，點擊“測量"即可，自動保存數據及相應測試點衰減波形到數據庫，可進行查詢歷史數據和導出歷史數據等操作。
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