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目錄:光焱科技股份有限公司>>EQE/光子-電子轉換測試>> LSD4雷射掃描缺陷圖譜儀

雷射掃描缺陷圖譜儀
  • 雷射掃描缺陷圖譜儀
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 品牌 Enlitech
  • 型號 LSD4
  • 廠商性質 生產商
  • 所在地 高雄市
屬性

產地類別:進口 應用領域:能源

>

更新時間:2024-04-02 10:25:25瀏覽次數(shù):1876評價

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產地類別 進口 應用領域 能源
價格區(qū)間 面議 測量模式 咨詢光焱科技專家
激光掃描缺陷成像儀是激光束感應電流(LBIC)測試的升級版本。它利用波長能量大于半導體帶隙的激光束照射半導體,產生電子空穴對。通過快速掃描樣品表面,獲得揭示內部電流變化的圖像分布,從而分析各種缺陷分布。這有助于分析樣品制備的質量并有助于工藝改進。

特征

掃描光生電流的分布

掃描光電壓分布

掃描開路電壓和短路電流的分布

分析表面污染

分析短路區(qū)域的 分布

識別和分析微裂紋區(qū)域

分析少數(shù)載子擴散長度的分布(選用功能)

應用

螢幕擷取畫面-2024-03-24-102552.webp

螢幕擷取畫面-2024-03-24-103017.webp螢幕擷取畫面-2024-03-24-103017.webp

螢幕擷取畫面-2024-03-24-103232.webp

OPV光響應電流分布圖

螢幕擷取畫面-2024-03-24-104324.png       OPV-Photoresponse-Current-Distribution-Map2.png

分辨率為 50 µm 的非均勻性分析

螢幕擷取畫面-2024-03-24-104655.png

母線/柵極縱橫比檢測(橫截面分析)

螢幕擷取畫面-2024-03-24-105119.png

高重復性(6次重復)

螢幕擷取畫面-2024-03-24-105357.png

螢幕擷取畫面-2024-03-24-105428.png

                                        螢幕擷取畫面-2024-03-24-105516.png

規(guī)格

項目參數(shù)說明。
功能A。利用能量高于半導體帶隙的波長激光束在半導體中產生電子空穴對,探索耗盡區(qū)對內部電流變化的影響,了解和分析各種缺陷分布,作為工藝改進的方向。

b.能夠掃描樣品表面光生電流的分布。

C。能夠掃描樣品表面光電壓的分布。

d.能夠掃描開路電壓和短路電流的分布。

e.能夠分析表面污染。

F。能夠分析短路區(qū)域的分布。

G。能夠識別和分析微裂紋區(qū)域。

H。能夠分析少數(shù)載流子擴散長度的分布(可選)。
激勵源
405 ±10nm 激光
520 ±10nm 激光
635 ±10nm 激光
830 ±10nm 激光
掃描區(qū)域≧100mm×100mm
激光光斑尺寸接近TEM00模式點
測繪分辨率
A。掃描分辨率 ≤ 50 µm
b.掃描分辨率可通過軟件設置
測繪時間<4分鐘(100mm×100mm,分辨率50um)
方面60厘米*60厘米*100厘米
軟件A。 LBIC 3D 可視化
b. 2D 橫截面分析(電極縱橫比)
c.光電流響應分布分析(與長波長激光源結合)
d.數(shù)據(jù)保存和導出功能






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