目錄:筱曉（上海）光子技術(shù)有限公司>>光電探測(cè)器>>MCT碲鎘汞探測(cè)器>> 三級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器
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更新時(shí)間：2024-12-04 09:14:27瀏覽次數(shù)：1030評(píng)價(jià)
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| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,建材,電子 |
|---|
PCI-3TE系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的三級(jí)熱電冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器，采用光學(xué)浸沒(méi)來(lái)提高探測(cè)器的性能，具有好的性能和穩(wěn)定性。探測(cè)器在Image時(shí)被性能好。截止波長(zhǎng)受GaAs透過(guò)率(~0.9 μm)的限制。設(shè)備應(yīng)該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲，在低頻時(shí)探測(cè)器的性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長(zhǎng)增大而增大。帶有3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口，防止不必要的干擾效應(yīng)。
● 可探測(cè)中紅外光波段范圍1-15μm
● 帶有三級(jí)TE冷卻以提高探測(cè)器響應(yīng)度
● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡，實(shí)現(xiàn)光學(xué)浸沒(méi)
● 特殊抗反射涂層，防止不必要干擾
● 可配專用的前置放大器
TO8型封裝外形尺寸圖
參量 | 數(shù)值 | ||
浸沒(méi)微型透鏡形狀 | 超半球形 | ||
光學(xué)區(qū)域面積AO；mm×mm | 0.5×0.5 | 1×1 | 2×2 |
R,mm | 0.5 | 0.8 | 1.25 |
A,mm | 5.7±0.35 | 4.8±0.35 | 3.45±0.35 |
備注：
?—接收角度；
R—超半球微型透鏡半徑
A—3TE-TO8型封裝頂部下表面與焦平面的距離
3TE-TO8引腳定義
功能 | PIN號(hào) |
探測(cè)器 | 1,3 |
熱敏電阻 | 7,9 |
TE冷卻器供應(yīng) | 2（+），8（-） |
底板接地 | 11 |
未使用 | 4,5,6,10,12 |
3TE-TO66封裝尺寸圖
參量 | 數(shù)值 | ||
浸沒(méi)微型透鏡形狀 | 超半球形 | ||
光學(xué)區(qū)域面積Ao；mm×mm | 0.5×0.5 | 1×1 | 2×2 |
R,mm | 0.5 | 0.8 | 1.25 |
A,mm | 6.75±0.35 | 5.85±0.35 | 4.5±0.35 |
備注：
?—接收角度；
R—超半球微型透鏡半徑
A—3TE-TO66型封裝頂部下表面與焦平面的距離
3TE-TO66引腳定義
功能 | 引腳編號(hào) |
探測(cè)器 | 7,8 |
熱敏電阻 | 5,6 |
TE致冷供給 | 1（+），9（-） |
未使用 | 2,3,4 |
● 熱成像
● FTIR光譜學(xué)
● 激光外差探測(cè)
● 中紅外氣體分析
參數(shù) | 探測(cè)器型號(hào) | |||
PCI-3TE-9 | PCI-3TE-10.6 | PCI-3TE-12 | PCI-3TE-13 | |
有源元件材料 | 外延MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu) | |||
峰值波長(zhǎng)（μm） | 9.0 | 10.6 | 12.0 | 13.0 |
相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λpeak,20kHz),cm·Hz1/2/W | ≥1.0×1010 | ≥4.5×109 | ≥1.6×109 | ≥9×108 |
相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λopt,20kHz),cm·Hz1/2/W | ≥6.2×109 | ≥2.5×109 | ≥9×108 | ≥4.5×108 |
電流響應(yīng)度-活性面積長(zhǎng)度乘積Ri(λopt)·L,A·mm/W | ≥0.7 | ≥0.17 | ≥0.07 | ≥0.03 |
時(shí)間常數(shù)T，ns | ≤60 | ≤20 | ≤5 | ≤4 |
1/f噪聲角頻率fc,Hz | ≤10k | ≤20k | ||
偏置電壓-光學(xué)區(qū)域長(zhǎng)度比Vb/Lo,V/mm | ≤0.2 | ≤0.15 | ||
電阻R,Ω | ≤400 | ≤300 | ||
工作溫度Tdet,K | ～210 | |||
感光面尺寸Ao,mm×mm | 0.5×0.5,1×1,2×2 | |||
包裝 | TO8,TO66 | |||
接收角? | ～36° | |||
窗口 | wZnSeAR | |||
20℃探測(cè)器的光譜響應(yīng)曲線
兩級(jí)TE冷卻參數(shù)表
參量 | 數(shù)值 |
Tdet,K | ～210 |
Vmax,V | 3.6 |
Imax,A | 0.45 |
Qmax,W | 0.27 |
熱敏電阻特性曲線
窗口鏡抗反射涂層透過(guò)率曲線
(更多關(guān)于MCT探測(cè)器 MCT探測(cè)器 )
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