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目錄:筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司>>光電探測(cè)器>>InGaAs銦鎵砷光電探測(cè)器>> InGaAs 超低噪單元探測(cè)器 UPD-300M-A

InGaAs 超低噪單元探測(cè)器 UPD-300M-A
  • InGaAs 超低噪單元探測(cè)器 UPD-300M-A
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
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  • 品牌 其他品牌
  • 型號(hào)
  • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
  • 所在地 上海市
屬性

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更新時(shí)間:2023-03-29 14:21:24瀏覽次數(shù):534評(píng)價(jià)

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InGaAs 超低噪單元探測(cè)器 UPD-300M-A

超低噪聲光電單元探測(cè)模塊集成了超低噪聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲隔離電源單電源供電,輸出信號(hào)不受外部供電電源的影響。該模塊在本底噪聲控制方面尤為突出, 在相同參數(shù)下其本底噪聲約為常規(guī)模塊的三分之一,很好滿足客戶對(duì)更小信號(hào)探測(cè)以及更高信噪比的需求。

InGaAs 超低噪單元探測(cè)器 UPD-300M-A InGaAs 超低噪單元探測(cè)器 UPD-300M-A
通用參數(shù)

產(chǎn)品特點(diǎn)            

噪聲超低

高增益

高帶寬

結(jié)構(gòu)緊湊

內(nèi)置低噪隔離電源


           

產(chǎn)品應(yīng)用            

光纖傳感

光纖通信

激光測(cè)距

光譜測(cè)量

ns 級(jí)光脈沖探測(cè)


           

參數(shù)            

產(chǎn)品型號(hào)

UPD-100M-A

UPD-200M-A

UPD-300M-A

UPD-400M-A

UPD-500M-A

UPD-600M-A

UPD-800M-A

UPD-1G-A

UPD-1.2G-A

UPD-1.5G-A

UPD-2G-A

UPD-2.5G-A

UPD-5G-A

單位

探測(cè)器類型

InGaAs


波長(zhǎng)

800~1700

nm

帶寬

100M

200M

300M

400M

500M

600M

800M

1G

1.2G

1.5G

2G

2.5G

5G

Hz

探測(cè)器響應(yīng)度

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

A/W@1550nm

跨阻增益

30K

30K

30K

20K

15K

15K

30K

30K

30K

30K

30K

30K

6K

V/W

飽和光功率

140

140

140

420

280

280

140

140

140

420

140

140

700

μW

NEP

2.2

2.2

2.2

2.7

3.1

3.1

3.3

3.3

3.3

3.3

3.3

3.3

3.3

pW/Sqrt(Hz)

輸出阻抗

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

Ω

輸出耦合方式

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC

DC

AC

AC

AC

AC

AC

AC

AC


供電電壓

5

5

5

5

5

12

12

12

12

12

12

12

12

V

供電電流

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.3

A

光學(xué)輸入

FC/APC(自由空間光可選)

FC/APC


射頻輸出

SMA

SMA


外形尺寸

65*50*20

65*50*25

80*90*25

mm


           


           

測(cè)試結(jié)果            

           


           


           

300MHz超低噪聲單元探測(cè)器


           


           

           


           

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