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目錄:筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司>>光電探測(cè)器>>InGaAs銦鎵砷光電探測(cè)器>> InGaAs單元探測(cè)器 1GHz

InGaAs單元探測(cè)器 1GHz
  • InGaAs單元探測(cè)器 1GHz
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 品牌 其他品牌
  • 型號(hào)
  • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
  • 所在地 上海市
屬性

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更新時(shí)間:2023-04-20 09:28:33瀏覽次數(shù):541評(píng)價(jià)

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應(yīng)用領(lǐng)域 化工,建材,電子 組成要素 半導(dǎo)體激光器產(chǎn)品及設(shè)備
InGaAs單元探測(cè)器 1GHz
總覽

高速低噪聲光電平衡探測(cè)模塊集成了兩個(gè)匹配的超低噪聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲電源。具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲、高共模抑制比等特點(diǎn),可以有效的減少信號(hào)的共模噪聲,提高系統(tǒng)的信噪比。

InGaAs單元探測(cè)器 1GHz InGaAs單元探測(cè)器 1GHz
產(chǎn)品特點(diǎn)

● 噪聲低

高增益

高帶寬

結(jié)構(gòu)緊湊

內(nèi)置低噪隔離電源

產(chǎn)品應(yīng)用

分布式光纖傳感

激光測(cè)風(fēng)雷達(dá)

光學(xué)相干層析

光譜測(cè)量

ns 級(jí)光脈沖探測(cè)

光纖通信

其它科研應(yīng)用

通用參數(shù)


產(chǎn)品型號(hào)

PD-100M-A

PD-200M-A

PD-300M-A

PD-400M-A

PD-500M-A

PD-600M-A

PD-800M-A

PD-1G-A

PD-1.2G-A

PD-1.5G-A

PD-2G-A

PD-2.5G-A

PD-5G-A

單位

探測(cè)器類型

InGaAs


波長(zhǎng)

800~1700

nm

帶寬

100M

200M

300M

400M

500M

600M

800M

1G

1.2G

1.5G

2G

2.5G

5G

Hz

探測(cè)器響應(yīng)度

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

A/W@1550nm

跨阻增益

30K

30K

30K

10K

5K

5K

30K

30K

30K

20K

15K

15K

3K

V/A

飽和光功率

140

140

140

420

840

840

140

140

140

210

280

280

1400

μW

NEP

5

5

5

7

7

8

9

9

9

9

9

9

9

pW/Sqrt(Hz)

輸出阻抗

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

Ω

輸出耦合方式

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC

AC

AC

AC

AC

AC

AC

AC


供電電壓

5

5

5

5

5

5

12

12

12

12

12

12

12

V

供電電流

0.3(max)

0.3(max)

0.3(max)

0.3(max)

0.3(max)

0.3(max)

0.2(max)

0.2(max)

0.2(max)

0.2(max)

0.2(max)

0.2(max)

0.2(max)

A

光學(xué)輸入

FC/APC(自由空間光可選)


射頻輸出

SMA


外形尺寸

65*50*20

75*55*25

mm


使用說明

1.該 模塊供電電壓為5V,供電電流最大值為0.25A.

2. Input 為光輸入接口; RF為射頻輸出接口.

3.接入輸入端前請(qǐng)確保端面清潔防止臟污對(duì)測(cè)量結(jié)果造成影響.







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