目錄:筱曉（上海）光子技術(shù)有限公司>>光電探測(cè)器>>Si硅光電探測(cè)器>> 硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 350MHz
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更新時(shí)間：2024-12-07 20:36:55瀏覽次數(shù)：807評(píng)價(jià)
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| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,建材,電子 | 組成要素 | 半導(dǎo)體激光器產(chǎn)品及設(shè)備 |
高速低噪聲光電平衡探測(cè)模塊集成了兩個(gè)匹配的超低噪 聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲電源。 具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲、高共模抑制比等 特點(diǎn)，可以有效的減少信號(hào)的共模噪聲，提高系統(tǒng)的信噪比。硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 350MHz
產(chǎn)品特點(diǎn)
噪聲低
高增益
高帶寬
結(jié)構(gòu)緊湊
內(nèi)置低噪隔離電源
應(yīng)用領(lǐng)域
分布式光纖傳感
激光測(cè)風(fēng)雷達(dá)
光學(xué)相干層析
光譜測(cè)量
ns 級(jí)光脈沖探測(cè)
技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)品型號(hào) | BPD-Si-100M-B | BPD-Si-200M-B | BPD-Si-350M-B | BPD-Si-500M-B | BPD-Si-1G-B | 單位 |
探測(cè)器型號(hào) | Si | |||||
波長(zhǎng) | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | nm |
帶寬 | 100M | 200M | 350M | 500M | 1G | Hz |
探測(cè)器響應(yīng)度 | 0.55@850nm | 0.55@850nm | 0.55@850nm | 0.55@850nm | 0.55@850nm | A/W |
跨阻增益 | 30K | 30K | 30K | 30K | 30K | V/A |
飽和輸入光功率 | 250 | 250 | 250 | 250 | 250 | μW |
NEP | 12 | 12 | 12 | 13 | 13 | pW/Sqrt(Hz) |
共模抑制比 | >25 | >25 | >25 | >25 | >25 | dB |
輸出阻抗 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | Ω |
輸出耦合方式 | DC/AC | DC/AC | DC/AC | AC | AC | |
供電電壓 | 5 | 5 | 5 | 12 | 12 | V |
供電電流 | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | A |
光學(xué)輸入 | FC/APC（自由空間可選） | FC/APC（自由空間可選） | FC/APC（自由空間可選） | FC/APC（自由空間可選） | FC/APC（自由空間可選） | |
射頻輸出 | SMA | SMA | SMA | SMA | SMA | |
外形尺寸 | 62*47*25 | 62*47*25 | 62*47*25 | 62*47*25 | 62*47*25 | mm |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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