目錄:筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司>>光學無源器件>>晶體/棱鏡/窗片>> SICZPRISM80-10-4-45IR拋光硅(Si)ATR 梯形棱鏡 (衰減全反射) 80 x 10 x 4mm(晶體/棱鏡/窗片)
應用領(lǐng)域 | 電子,電氣,綜合 |
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IR拋光硅(Si)ATR 梯形棱鏡 (衰減全反射) 80 x 10 x 4mm(晶體/棱鏡/窗片)
光學級硅通常規(guī)定為具有5至40ohm-cm的電阻率,其電阻率比大多數(shù)半導體的都高。 非常高的電阻率材料可客戶定制,te別是對于TeraHertz應用。通常的材料為CZ,其在9μm具有Si-O吸收帶,因此如果在3至5μm光譜帶中使用該窗口,則此性質(zhì)不重要。 如果需要FZ,可以提供沒有這種吸收的浮區(qū)材料。
硅主要用作3至5um波段的光學窗口并用作光學濾波器的制片基底。 具有拋光面的大塊硅也用作物理實驗中的中子靶。
硅通過Czochralski拉伸技術(shù)(CZ)生長并且包含一些導致9um的吸收帶的氧。 為了避免這種情況,硅可以通過浮區(qū)(FZ)工藝制備。 光學硅通常輕摻雜(5~40 Ohm cm),以在10um以上的波段最jia透射。 硅具有30至100um的另一通帶,其僅在非常高電阻率的未補償材料中有效。 摻雜通常是硼(p型)和磷(n型)。
IR拋光硅(Si)ATR 梯形棱鏡 (衰減全反射) 80 x 10 x 4mm(晶體/棱鏡/窗片)
公司簡介
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