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Ge 鍺光電二極管探測器 800-1800nm
  • Ge 鍺光電二極管探測器 800-1800nm
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貨物所在地:上海上海

更新時間:2025-01-23 21:00:07

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Ge 鍺光電二極管探測器 800-1800nm通過把光功率轉(zhuǎn)換成電流,是您測量脈沖和連續(xù)光纖光源的理想選擇。探測器是帶有陽極和陰極的陶瓷。光電二極管陽極產(chǎn)生電流,電流是入射光功率和波長的函數(shù)。
Ge 鍺光電二極管探測器 800-1800nm總覽

筱曉光子的鍺光電二極管通過把光功率轉(zhuǎn)換成電流,是您測量脈沖和連續(xù)光纖光源的理想選擇。探測器是帶有陽極和陰極的陶瓷。光電二極管陽極產(chǎn)生電流,電流是入射光功率和

波長的函數(shù)。響應(yīng)度R(λ)可以從下一頁的圖中讀取,以估計光電流的量。通過將負(fù)載電阻器(RL)從光電二極管陽極連接到電路接地,可以將電流轉(zhuǎn)換為電壓。其中P是功率,輸出電壓用下式表示

ge4.png

帶寬fBW和上升時間響應(yīng)tR由二極管電容CJ,以及負(fù)載電阻RL決定,

如下所示。通過在光電二極管陰極和電路接地之間施加偏置電壓,可以降低二極管電容。

ge5.png

Ge 鍺光電二極管探測器 800-1800nm產(chǎn)品特點

● 有效面積大

● 上升時間快

● 響應(yīng)度高

尺寸規(guī)格

ge3.png

產(chǎn)品應(yīng)用

● 功率測試

● 光纖傳感

● 測試測量

技術(shù)參數(shù)

技術(shù)參數(shù)

符號

指標(biāo)

響應(yīng)波長范圍

λ

800   - 1800 nm

峰值波長

λP

1550   nm (Typ.)

響應(yīng)度a

R(λ)

0.95   A/W (Typ.)

有效面積


10   mm x 10 mm

上升/下降時間(RL=50 ?, 1 V)

tr/tf

10   μs (Typ.)

NEP   (1550 nm)b


4.0   x 10-12 W/√Hz (Typ.)

暗電流(0.3 V)

Id

50   µA (Max)

電容(1 V)

電容(0V)

Cj

80   nF (Typ.)

135   nF (Typ.)

并聯(lián)電阻

Rshunt

2   k? (Min)

包裝材料


陶瓷

傳感器材料


Ge

備注:

所有測量均在25℃的環(huán)境溫度下進(jìn)行。

a、 峰值波長規(guī)定的響應(yīng)度

b、 NEP在光伏模式下

鍺光電二極管上的引線通過導(dǎo)電樹脂連接到探測器上,因為焊接會損壞探測器。因此接合部位容易損壞,在夾持此產(chǎn)品時請務(wù)必小心,以免損壞引線。

最大值參數(shù)

最大偏置(反向)電壓

1 V

反向電流

10 mA

工作溫度

-40 to 85 ℃

存儲溫度

-40 to 125 ℃


推薦電路連接

ge1.png

光譜響應(yīng)圖

ge2.jpg


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