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貨物所在地：上海上海
更新時(shí)間：2025-01-23 21:00:07
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MP6514S型探測(cè)器組件由4x4陣列規(guī)格InGaAs單光子雪崩光電二極管(SPAD)芯片、CMOS主被動(dòng)淬滅電路芯片倒焊互連而成的探測(cè)器模塊與電壓逆變模塊、制冷模塊、信號(hào)控制模塊組成。在蓋革工作模式下，探測(cè)器組件各像元獨(dú)立、自由運(yùn)行，探測(cè)0.95 ~ 1.65 μ m的近紅外波段范圍內(nèi)微弱光信號(hào)，實(shí)時(shí)輸出TTL電信號(hào)。
●光譜響應(yīng)波段0.95 ~ 1.65μm
●采用金屬封裝，器件質(zhì)輕靈巧
●像元獨(dú)立、自由運(yùn)行
●像元可探測(cè)弱光子信號(hào)
●死時(shí)間、蓋革雪崩信號(hào)檢測(cè)閾值可調(diào)
封裝外形結(jié)構(gòu)與尺寸(單位: mm )
電學(xué)接口
●電源輸入: +5V
●數(shù)據(jù)輸出類型: TTL
●控制命令接口: J63A-31
●電源輸入接口類型: J30J
●數(shù)據(jù)輸出接口類型: J63A-31
●外觸發(fā)接口: SSMA
接口編號(hào) | 功能 |
1 | SSMA-1:內(nèi)同步信號(hào)輸出 |
2 | SSMA-2:外同步信號(hào)輸入 |
3 | J63A-31:輸出信號(hào)端口及探測(cè)器工作設(shè)置輸入信號(hào)端口 |
4 | J30J: +5V單電源供電 |
●透霧、霾、煙塵等測(cè)距
●近紅外激光告警
●遠(yuǎn)距離激光測(cè)距
●遠(yuǎn)距離空間激光通信
探測(cè)器面陣規(guī)格
性能描述 | |
器件類型 | InGaAs APD |
陣列規(guī)模 | 4x4 |
像元大小 | 100μm x 100μm |
光敏面大小[1] | 85μm x 85μm |
光窗 | 石英光窗 |
感光靶面至光窗外表面間距 | 4mm (光窗厚度為1mm ) |
注[1]:單片集成微透鏡焦距150μm。 |
主要性能指標(biāo)(Tc=22+3℃)
特性參數(shù) | 參數(shù)指標(biāo) |
工作波長(zhǎng)[1] | 0.95 ~ 1.65μm |
探測(cè)效率 | ≥10% ( 1.57 +0.05μm) |
暗計(jì)數(shù)率 | ≤10KHz |
時(shí)間抖動(dòng) | ≤500ps |
死時(shí)間 | 100 ~ 1000ns可調(diào) |
有效像元率 | 100% |
注[1]:在工作波長(zhǎng)范圍內(nèi)選配標(biāo)準(zhǔn)窄帶濾光片。 | |
絕對(duì)最大額定值
參數(shù) | 額定值 | 單位 |
工作溫度范圍Tc | -40～+55 | °C |
貯存溫度范圍TSTG | -40～+70 | °C |
最大功耗P | 15 | W |
輸入偏置范圍VR | 4.9～5.5 | V |
靜電放電敏感度ESD | 1000～2000 | V |
質(zhì)量可靠性保證
● 產(chǎn)品執(zhí)行GJB8121-2013《半導(dǎo)體光電組件通用規(guī)范》相關(guān)要求。
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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