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無(wú)掩膜直寫(xiě)光刻的核心在于“直寫(xiě)”和“無(wú)掩膜”

閱讀:151      發(fā)布時(shí)間:2025-7-3
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無(wú)掩膜直寫(xiě)光刻設(shè)備是一種強(qiáng)大的工具,它通過(guò)數(shù)字控制光束直接在基板上形成圖形,擺脫了對(duì)物理掩模版的依賴(lài),帶來(lái)了靈活性和設(shè)計(jì)迭代速度。
無(wú)掩膜直寫(xiě)光刻的核心在于“直寫(xiě)”和“無(wú)掩膜”:
‌直寫(xiě):‌聚焦的激光束、電子束或其他類(lèi)型的能量束(如離子束)直接在光刻膠表面移動(dòng)掃描,按照設(shè)計(jì)好的圖形圖案曝光光刻膠。
‌無(wú)掩模:‌圖形的圖案信息以數(shù)字文件的形式存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)中,并通過(guò)精確的空間光調(diào)制器或光束偏轉(zhuǎn)控制系統(tǒng)實(shí)時(shí)控制光束的開(kāi)關(guān)和位置,代替了傳統(tǒng)的光學(xué)掩模版來(lái)定義圖形。
目前主流的有兩種技術(shù)路線(xiàn):
‌激光直寫(xiě):‌
‌核心部件:空間光調(diào)制器。
‌工作原理:使用高功率激光器(通常是紫外或深紫外波長(zhǎng))作為光源。光束照射到空間光調(diào)制器上。SLM由數(shù)百萬(wàn)個(gè)微小的、可獨(dú)立尋址的反射鏡或液晶單元組成。計(jì)算機(jī)根據(jù)設(shè)計(jì)圖形控制每個(gè)單元的開(kāi)關(guān)狀態(tài)(開(kāi)/關(guān)或調(diào)節(jié)相位/振幅),從而將數(shù)字圖形信息“加載”到入射光束上。調(diào)制后的光束再通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)縮小并聚焦到光刻膠表面。工件臺(tái)精確移動(dòng)基板(或光束掃描),最終將整個(gè)設(shè)計(jì)圖形逐場(chǎng)或逐行“寫(xiě)入”到基板上。
‌優(yōu)點(diǎn):速度快(相對(duì)于電子束),系統(tǒng)相對(duì)成熟,成本適中。
‌缺點(diǎn):分辨率受限于光學(xué)衍射極限和SLM單元的尺寸。
‌電子束直寫(xiě):‌
‌核心部件:電子束光刻柱(電子槍、電磁透鏡、束閘、精密偏轉(zhuǎn)線(xiàn)圈)。
‌工作原理:利用熱場(chǎng)發(fā)射或冷場(chǎng)發(fā)射產(chǎn)生的細(xì)聚焦高能電子束。計(jì)算機(jī)控制電磁偏轉(zhuǎn)線(xiàn)圈,使電子束在基板表面精確掃描。束閘控制電子束的開(kāi)關(guān)。電子束按照設(shè)計(jì)圖形逐點(diǎn)轟擊光刻膠,引發(fā)化學(xué)反應(yīng)(對(duì)于正膠是分解,負(fù)膠是交聯(lián))。工件臺(tái)移動(dòng)基板完成大面積曝光。
‌優(yōu)點(diǎn):分辨率高‌(可達(dá)納米甚至亞納米級(jí)別),是研發(fā)和高分辨率原型制造的技術(shù)。
‌缺點(diǎn):速度慢(串行掃描),鄰近效應(yīng)影響圖形精度,設(shè)備昂貴且復(fù)雜,運(yùn)行和維護(hù)成本高。

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