美國 2D/3D可牽張拉伸微電極陣列刺激與記錄系統(tǒng)

機械力刺激

電刺激記錄

高分辨率成像三合一

美國bm廠家的3D微電極陣列將推進基于類器官的神經(jīng)和神經(jīng)退行性疾病模型

傳統(tǒng)到的商業(yè)微電極陣列是扁平的，因此它們只能記錄球形類器官表面積的一小部分，而BM的 3D 微電極陣列大限度地與類器官表面接觸，以收集比以前更多的神經(jīng)信號。

3D 微電極陣列為球形類器官創(chuàng)建一個更貼近自然地環(huán)境，以模擬健康和疾病狀態(tài)的大腦功能。 這項新技術(shù)將推動創(chuàng)傷性腦損傷、阿爾茨海默病及相關(guān)癡呆癥、慢性創(chuàng)傷性腦病、自閉癥等方面的研究。

允許在整個拉伸過程中對細胞進行光學成像，以驗證組織應變并檢測組織中的形態(tài)變化。

2×60通道

★雙軸，單軸
★自定義應變場
★一種快速沖動拉伸或周期性拉伸
★高達50％的應變
★應變速率高達80 / s
★任何拉伸圖案
★高重復性

-細胞牽張刺激前后或刺激期間，多電極刺激、阻抗定量測量以及記錄電生理活動數(shù)據(jù)采集記錄