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Stretchable Low Impedance Electrode
應用領域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產業(yè),制藥,綜合 | 模塊化力、電生理、成像三合一 | 集成 |
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拉伸 | 應變率≤80/s,應變≤50% | 多通道微電極 | 2x60 |
高分辨率活細胞成像 | 2MP分辨率下每秒高達2000幀 |
細胞機-電偶聯(lián)刺激儀 細胞機-電偶聯(lián)刺激儀 |
機械力刺激
電刺激記錄
高分辨率成像三合一
允許在整個拉伸過程中對細胞進行光學成像,以驗證組織應變并檢測組織中形態(tài)變化。細胞在拉伸過程中保持在透鏡的焦平面內,即細胞可以在整個拉伸過程中用內置的高速照相機成像。
★拉伸之前、期間和之后成像
★定制,易于使用的軟件可獨立測量組織應變
★拉伸運動過程中活細胞的光學成像
★高幀率和分辨率,可以進行熒光成像
★2MP分辨率下每秒高達2,000幀
★力學與成像模塊
★高幀率和分辨率
★可以偶聯(lián)電生理模塊以完善MEASSuRE系統(tǒng)
★多種相機可選
美國bm廠家的3D微電極陣列將推進基于類器官的神經和神經退行性疾病模型
3D 貼合微電極陣列,用于記錄生理上完整的腦類器官的電信號。 BMSEED 的新技術將使研究人員能夠準確評估這些結構的健康狀況和功能,以推進眾多領域的藥物測試和組織工程。
大腦類器官使用人體細胞來復制大腦的 3 維結構。
3D 微電極陣列為球形類器官創(chuàng)建一個更貼近自然地環(huán)境,以模擬健康和疾病狀態(tài)的大腦功能。 這項新技術將推動創(chuàng)傷性腦損傷、阿爾茨海默病及相關癡呆癥、慢性創(chuàng)傷性腦病、自閉癥等方面的研究。
MEASSuRE-X
1、力學模塊:應變率高達80/s,應變高達50%2、成像模塊:幀率:2,000fps
3、電生理模塊: 2x60 通道
應用:病理細胞拉伸
創(chuàng)傷性腦損傷和反復腦震蕩 神經退行性疾病
脊髓損傷
肌肉損傷
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