應(yīng)力應(yīng)變細(xì)胞電場(chǎng)電位

應(yīng)力應(yīng)變細(xì)胞電場(chǎng)電位

美國 2D/3D可牽張拉伸微電極陣列刺激與記錄系統(tǒng)

機(jī)械力刺激

電刺激記錄

高分辨率成像三合一

腦類器官3D記錄系統(tǒng)，3d可牽張微電極陣列系統(tǒng)，3D MEA，3D Microelectrode Arrays ，3D 貼合微電極陣列，3D-formfitting microelectrode array，3D Stretchable Microelectrode Array (sMEA)，周圍神經(jīng)系統(tǒng)PNS電極陣列，ECoG 電極陣列

美國bm廠家的3D微電極陣列將推進(jìn)基于類器官的神經(jīng)和神經(jīng)退行性疾病模型

3D 貼合微電極陣列，用于記錄生理上完整的腦類器官的電信號(hào)。 BMSEED 的新技術(shù)將使研究人員能夠準(zhǔn)確評(píng)估這些結(jié)構(gòu)的健康狀況和功能，以推進(jìn)眾多領(lǐng)域的藥物測(cè)試和組織工程。

大腦類器官使用人體細(xì)胞來復(fù)制大腦的 3 維結(jié)構(gòu)。 與動(dòng)物模型和 2D 細(xì)胞培養(yǎng)物相比，它們可用作在更接近人體的環(huán)境中研究神經(jīng)和神經(jīng)退行性腦疾病的有效模型。 然而，它們的功效已被用于記錄大腦類器官電信號(hào)的方法的限制所扼殺。

傳統(tǒng)到的商業(yè)微電極陣列是扁平的，因此它們只能記錄球形類器官表面積的一小部分，而BM的 3D 微電極陣列大限度地與類器官表面接觸，以收集比以前更多的神經(jīng)信號(hào)。

電生理模塊：細(xì)胞電刺激、電生理活動(dòng)記錄、阻抗測(cè)量

統(tǒng)擁有完整的環(huán)境控制功能，能夠長(zhǎng)期、實(shí)時(shí)、非侵襲性地開展電生理實(shí)驗(yàn)工作，能夠便捷、高通量地測(cè)量活細(xì)胞的電網(wǎng)絡(luò)行為，探索生命的電路圖。

系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)靈活的力-電可耦合刺激

使研究者設(shè)計(jì)研究：應(yīng)力本身引起還是由應(yīng)力產(chǎn)生的電位引起,或是兩者都起作用？