CVD是化學氣相沉積的簡稱，是半導體工業(yè)中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術，理論上即：兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導入到一個反應室內，然后他們相互之間發(fā)生化學反應，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。所以普通CVD實驗設備則由三套及以上的設備組合而成即：高溫爐（提供實驗溫度）+供氣系統(tǒng)（提供多種氣體混合）+真空系統(tǒng)（提供真空實驗環(huán)境）。

化學氣相沉積（CVD）設備的靈活度很高，客戶可根據自己實驗要求選擇合適的產品來組合，或者直接選擇CVD套裝。

一、高溫爐的選擇

     一般都是選擇管式爐，管式爐為CVD實驗提供材料沉積所需要的溫度。根據材料的大小，以及實驗需要的溫度選擇合適溫度，合適口徑的管式爐。

二、供氣系統(tǒng)選擇：

     供氣系統(tǒng)即混氣裝置，它可以實現(xiàn)2種或者2種以上的氣體或者蒸汽按照一定的比例來混合，然后通入高溫爐中。供氣系統(tǒng)中使用了不同種類的流量計，根據氣體的性質決定。本公司的供氣系統(tǒng)流量計一般使用了2類，見如下說明：

1.氣體流量計：

浮子流量計：氣體通過普通的浮子流量計粗略的估計進氣量。

質量流量計：氣體通過D07質量流量計精確控制進氣量。

2、氣液混合流量計：

用于液體高溫氣化后導入CVD系統(tǒng)的設備。

三、真空系統(tǒng)選擇：

      真空系統(tǒng)為CVD實驗提供實驗的真空環(huán)境，將管式爐中的空氣抽走，達到真空的環(huán)境?？蛻舾鶕约簩嶒炈枵婵斩却笮〖皩嶒炈枨鍧嵆潭葋磉x擇合適的真空裝置。

（1）低真空系統(tǒng)。采用雙級真空泵，標配電阻規(guī)真空計；

（2）高真空系統(tǒng)。采用進口分子泵，自帶真空計或者采用國產分子泵，自帶真空計。