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當前位置:> 供求商機> 3AP-CJ-80A-芯片冷熱沖擊試驗箱

[供應]3AP-CJ-80A-芯片冷熱沖擊試驗箱

貨物所在地:廣東東莞市

產地:冷熱沖擊老化儀

更新時間:2025-01-21 11:33:24

有效期:2025年1月21日 -- 2026年1月21日

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芯片冷熱沖擊試驗箱用于電工電子電器機械等零組件、自動化零部件、國防工業(yè)行業(yè)、航空航天研究所、兵工業(yè)、通訊產品或組件、汽車成品或配件、金屬材料、化學材料、五金塑膠、LED、LCD光電、光伏、照明、BGA、PCB基扳、電子芯片IC、半導體陶磁及高分子材料之物理牲變化,測試其材料對冷、熱溫的快速反復抵抗力及工業(yè)產品處于熱脹冷縮的環(huán)境時所出現(xiàn)的化學變化或者物理傷害。

芯片冷熱沖擊試驗箱用于電工電子電器機械等零組件、自動化零部件、國防工業(yè)行業(yè)、航空航天研究所、兵工業(yè)、通訊產品或組件、汽車成品或配件、金屬材料、化學材料、五金塑膠、LED、LCD光電、光伏、照明、BGA、PCB基扳、電子芯片IC、半導體陶磁及高分子材料之物理牲變化,測試其材料對冷、熱溫的快速反復抵抗力及工業(yè)產品處于熱脹冷縮的環(huán)境時所出現(xiàn)的化學變化或者物理傷害,可確認工業(yè)產品的質量,從精密的IC到重機械的組件,可作為工業(yè)行業(yè)眾多產品改進質量的依據(jù)或參考。以便考核產品的適應性或對測試產品的行

為作出評價。是新產品研發(fā)、樣機實驗、產品合格鑒定試驗全過程的重要試驗手段。

參照標準:

GB/T2423.1-2008 電工電子產品環(huán)境試驗 第2部分試驗方法 試驗A 低溫

GB/T 2423.2-2008 電工電子產品環(huán)境試驗 第2部分:試驗方法 試驗B:高溫

GB/T 10592-2008 高低溫試驗箱技術條件

芯片冷熱沖擊試驗箱技術參數(shù):

溫度范圍可選:-40~150℃;-55~150℃;-65~150℃

高溫儲溫區(qū):+60℃~+200℃

低溫儲溫區(qū):-10℃~-75℃;

溫度循環(huán)沖擊恢復時間: 3~5min內;溫度循環(huán)沖擊移動時間: ≤10sec內。

升溫時間(蓄熱區(qū)) :RT~200℃約需35min;降溫時間(蓄冷區(qū)) :RT~-70℃約需85min

內箱尺寸可選擇:35×35×40、50×40×40、60×50×50、70×60×60

內外箱材質:外殼防銹處理冷軋鋼板(噴塑)或不銹鋼板(SUS304);內箱100%保證為不銹鋼板(SUS304) ,絕熱材料為聚氨酯泡沫和玻璃纖維

氣動氣缸:高溫、環(huán)境溫度、低溫曝露時的各個風門驅動用

空氣壓縮機:提供驅動氣動風門的壓縮空氣(選件)

安全裝置:超溫保護裝置、漏電保護裝置、短路保護裝置、電機過熱保護裝置、壓縮機超壓保護裝置、超載保護裝置、過電流保護裝置等。

芯片冷熱沖擊試驗箱


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