美國(guó)Sinton 少子壽命測(cè)試儀 BCT-400/BLS-I 返回列表頁(yè)

BLS-I/BCT-400少子壽命測(cè)試儀

●非接觸方式量測(cè)真正意義上的硅塊少子壽命

●渦電流法量測(cè)技術(shù)符合SEMI的PV13標(biāo)準(zhǔn)

●相比業(yè)界其他少子壽命測(cè)試儀BLS-I/BCT系列是性能更*的少子壽命測(cè)試儀

●Wafer廠品質(zhì)監(jiān)控必*量測(cè)設(shè)備，擁有廣泛的客戶群。

一、 產(chǎn)品概述

BLS-I/BCT-400型號(hào)少子壽命測(cè)試儀可以量測(cè)P型或者N型單晶或者多晶硅塊少子壽命，不需要表面鈍化處理就可以量測(cè)少子壽命。少子壽命的量測(cè)對(duì)于監(jiān)控硅塊在長(zhǎng)晶過(guò)程引入的缺陷或者污染物造成的缺陷有著重要的意義。通過(guò)使用少子壽命測(cè)試儀BCT-400可以直接判斷硅塊的質(zhì)量好壞。BLS-I可以量測(cè)表面不平的硅塊樣品。而不同于BLS-I，BCT-400只能量測(cè)表面平坦的硅塊。

二、 產(chǎn)品性能

主要應(yīng)用：

? 量測(cè)高純度硅少子壽命（范圍在1ms-5ms）

? 量測(cè)摻硼的CZ 單晶硅少子壽命

? 量測(cè)多晶硅的少子壽命，陷阱濃度等

其他應(yīng)用：

? 量測(cè)B-O缺陷，鐵雜質(zhì)濃度，以及表面的損傷

? 監(jiān)控CZ和FZ單晶，多晶硅等硅片質(zhì)量