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激光顯微鏡在半導體生產(chǎn)流程中的微觀分析檢測方案

閱讀:1394      發(fā)布時間:2023-4-26
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激光顯微鏡在半導體生產(chǎn)流程中的微觀分析檢測方案

半導體行業(yè)在產(chǎn)品的小型化及多功能化、提高生產(chǎn)效率、削減成本等方面的競爭日趨激烈。在圖形細微化、晶片大口徑化發(fā)展的同時,市場對品質(zhì)保障的要求越來越高,研究開發(fā)及檢測的速度也變得重要了起來。

下面將為您介紹使用基恩士VK-X系列形狀測量激光顯微鏡,在半導體生產(chǎn)流程中的微觀分析檢測方案。

在此之前,基恩士VK-X系列形狀測量激光顯微鏡有什么特點呢?

觀察

高分辨率,高倍率觀測

與SEM 相似,高達28,800× 的高分辨率觀測

真實彩色觀測

與光學顯微鏡相似,同時實現(xiàn)了高分辨率與真實彩色觀測

無需預處理

不需要進行蒸金或切割等預處理

光盤凹坑(6000倍)

img1

彩色印刷表面(1000 倍)

img2

測量

高分辨率,非接觸式測量

分辨率為0.1 nm 的Z 軸非接觸式測量

利用顯微鏡調(diào)整測量位置

可以對任一點執(zhí)行3D 測量,同時觀測放大的圖像

各種3D 測量

輪廓,粗糙度,體積,表面積,透明物體的厚度等

輪廓測量

img3

粗糙度測量

img4

??半導體生產(chǎn)流程 應(yīng)用案例

半導體生產(chǎn)流程中的應(yīng)用

刻印字符的深度測量

• 砂輪軸的磨片粗糙度測量/ 磨損量測量

• 晶片缺口粗糙度測量

• CMP 板的表面粗糙度測量• 測試用探針端口磨損量測量

• 使用探針進行的襯墊部分壓痕深度測量

• 圖案厚度、寬度、形狀測量

• 光阻劑殘渣狀態(tài)的觀察

• 光掩膜的圖案寬度測量

測量硅晶片的背面

借助VK-X 系列,諸如硅晶片等鏡面目標上的瑕疵或裂縫可以在高對比度,高清晰度的圖像上清楚地觀測到。將表面形狀用表示高度信息的色階(紅~ 藍)顯示,3D 信息一目了然。


輪廓測量畫面

在需要的測量線或曲線上進行截面輪廓分析,就能測量瑕疵或裂縫的深度,寬度或截面。執(zhí)行表面粗糙度分析則能量化Ra,Ry 和Rz。這些功能可以用來在晶片拋光處理時以數(shù)量化的方式檢查拋光狀態(tài)。因為可以進行非接觸式量測,所以晶片不會被損壞。相同的功能還能用來測量CMP 板等生產(chǎn)設(shè)備。

img7

除上述行業(yè)應(yīng)用外,基恩士VK-X系列形狀測量激光顯微鏡在顯示行業(yè)、電子零件行業(yè)、印刷電路板/芯片安裝行業(yè)、汽車行業(yè)等都有豐富的應(yīng)用案例,如需進一步了解設(shè)備詳情以及行業(yè)應(yīng)用信息,可通過電話、留言、在線咨詢等方式聯(lián)系我們,我們將竭誠為您服務(wù)。



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