去離子超純水設(shè)備 返回列表頁(yè)

去離子超純水設(shè)備是反滲透設(shè)備跟離子交換混床或EDI相結(jié)合配套使用，離子交換混床是通過(guò)離子交換樹(shù)脂在電解質(zhì)溶液中進(jìn)行的，可去除水中的各種陰、陽(yáng)離子，是目前制取高純水工藝流程中不可替代的手段。離子交換器分為陽(yáng)離子交換器、陰離子交換器等。 當(dāng)原水通過(guò)離子交換柱時(shí)，水中的陽(yáng)離子和水中的陰離子（HCO3-等離子）與交換柱中的陽(yáng)樹(shù)脂的H+離子和陰樹(shù)脂的OH-離子進(jìn)行交換，從而達(dá)到脫鹽的目的。陽(yáng)、陰混柱的不同組合從而達(dá)到脫鹽的目的。陽(yáng)、陰混柱的不同組合可使水質(zhì)達(dá)到更高的要求。

去離子超純水設(shè)備的主要特點(diǎn)：

1.產(chǎn)水水質(zhì)高而具有較佳的穩(wěn)定度高

2.連續(xù)不間斷制水，不因再生而停機(jī)。

3.模塊化生產(chǎn)，并可實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)控制。

4.不須酸堿再生，無(wú)污水排放。

5.無(wú)酸堿再生設(shè)備和化學(xué)藥品儲(chǔ)運(yùn)。

6.設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊，占地面積小。

7.運(yùn)行費(fèi)用及維修成本低

8.運(yùn)行操作簡(jiǎn)單，勞動(dòng)強(qiáng)度低

超純水系統(tǒng)進(jìn)水要求

反滲透RO產(chǎn)水，電導(dǎo)率1-20μs/cm，較大允許電導(dǎo)率≤30μs/cm（NaCl）。

pH值： 7.5—9

溫度： 15℃--35℃

進(jìn)水壓力（DIN）：0.15—0.4MPa

濃水進(jìn)水壓力（C ） 0 10 0 3MP IN）： 0.10—0.3MPa

產(chǎn)水壓力(DOUT)：0.05—0.25MPa

濃水出水壓力(COUT)： 0.02—0.2MPa

進(jìn)水硬度：＜1.0ppm(以CaCO 計(jì)）(推薦0 5ppm以下）

進(jìn)水有機(jī)物：TOC＜0.5ppm

進(jìn)水硅：SiO2＜0.5ppm

進(jìn)水總CO2：＜3ppm

進(jìn)水顆粒度：＜1μm

 1、給水：RO純水，一般水的電導(dǎo)率為4-30us/cm。

 2、PH：5.0-8.0(在此PH條件下，水硬度不能太高)

 3、溫度：5-35℃

 4、進(jìn)水壓力：較大為4kg/cm2(60psi)，較小為1.5kg/cm2(25psi)。

應(yīng)用領(lǐng)域：1、電解電容器生產(chǎn)鋁箔及工作件的清洗。

2、電子管生產(chǎn)、電子管陰極涂敷碳酸鹽配液。

3、顯像管和陰極射線管生產(chǎn)、配料用純水。

4、黑白顯像管熒光屏生產(chǎn)、玻殼清洗、沉淀、濕潤(rùn)、洗膜、管徑清洗用純水。

5、液晶顯示器的生產(chǎn)、平面需用純水清洗及純水配液。

6、晶體管生產(chǎn)中主要用于清洗硅片，另有少量用于藥液配制。

7、集成電路生產(chǎn)中高純水清洗硅片、高品質(zhì)顯像管、熒光粉生產(chǎn)。

8、半導(dǎo)體材料、器件、印刷電路板和集成電路。

9、LCD、LED液晶顯示屏、PDP等離子顯示屏。