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菲尼克斯功率存儲設(shè)備2866365采用鉛AGM技術(shù)

參   考   價(jià): 1450

訂  貨  量: ≥1 件

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號QUINT-BAT/24DC/12AH

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

所  在  地上海市

更新時(shí)間:2024-11-15 15:48:58瀏覽次數(shù):214次

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應(yīng)用領(lǐng)域 電氣
菲尼克斯功率存儲設(shè)備2866365采用鉛AGM技術(shù)
電源存儲設(shè)備,鉛質(zhì)AGM, VRLA技術(shù),24 V DC,12 Ah。通過針式電纜插頭連接,14 mm。

菲尼克斯功率存儲設(shè)備2866365采用鉛AGM技術(shù)

哪種材料適合作為某種半導(dǎo)體材料的摻雜物(dopant)需視兩者的原子特性而定。一般而言,摻雜物依照其帶給被摻雜材料的電荷正負(fù)被區(qū)分為施主(donor)與受主(acceptor)。施主原子帶來的價(jià)電子(valence electrons)大多會與被摻雜的材料原子產(chǎn)生共價(jià)鍵,進(jìn)而被束縛。而沒有和被摻雜材料原子產(chǎn)生共價(jià)鍵的電子則會被施主原子微弱地束縛住,這個(gè)電子又稱為施主電子。和本質(zhì)半導(dǎo)體的價(jià)電子比起來,施主電子躍遷至傳導(dǎo)帶所需的能量較低,比較容易在半導(dǎo)體材料的晶格中移動,產(chǎn)生電流。雖然施主電子獲得能量會躍遷至傳導(dǎo)帶,但并不會和本質(zhì)半導(dǎo)體一樣留下一個(gè)電洞,施主原子在失去了電子后只會固定在半導(dǎo)體材料的晶格中。因此這種因?yàn)閾诫s而獲得多余電子提供傳導(dǎo)的半導(dǎo)體稱為n型半導(dǎo)體(n-type semiconductor),n代表帶負(fù)電荷的電子。

和施主相對的,受主原子進(jìn)入半導(dǎo)體晶格后,因?yàn)槠鋬r(jià)電子數(shù)目比半導(dǎo)體原子的價(jià)電子數(shù)量少,等效上會帶來一個(gè)的空位,這個(gè)多出的空位即可視為電洞。受主摻雜后的半導(dǎo)體稱為p型半導(dǎo)體(p-type semiconductor),p代表帶正電荷的電洞。

以一個(gè)硅的本質(zhì)半導(dǎo)體來說明摻雜的影響。硅有四個(gè)價(jià)電子,常用于硅的摻雜物有三價(jià)與五價(jià)的元素。當(dāng)只有三個(gè)價(jià)電子的三價(jià)元素如硼(boron)摻雜至硅半導(dǎo)體中時(shí),硼扮演的即是受主的角色,摻雜了硼的硅半導(dǎo)體就是p型半導(dǎo)體。反過來說,如果五價(jià)元素如磷(phosphorus)摻雜至硅半導(dǎo)體時(shí),磷扮演施主的角色,摻雜磷的硅半導(dǎo)體成為n型半導(dǎo)體。



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