菲尼克斯緩沖模塊2866213提供負(fù)載電流 返回列表頁

菲尼克斯緩沖模塊2866213提供負(fù)載電流

摻雜物濃度對于半導(dǎo)體最直接的影響在于其載子濃度。在熱平衡的狀態(tài)下，一個未經(jīng)摻雜的本質(zhì)半導(dǎo)體，電子與電洞的濃度相等，如下列公式所示：

n= p= n其中n是半導(dǎo)體內(nèi)的電子濃度、p則是半導(dǎo)體的電洞濃度，n則是本質(zhì)半導(dǎo)體的載子濃度。n會隨著材料或溫度的不同而改變。對于室溫下的硅而言，n大約是1×10 cm。

通常摻雜濃度越高，半導(dǎo)體的導(dǎo)電性就會變得越好，原因是能進(jìn)入傳導(dǎo)帶的電子數(shù)量會隨著摻雜濃度提高而增加。摻雜濃度非常高的半導(dǎo)體會因為導(dǎo)電性接近金屬而被廣泛應(yīng)用在今日的集成電路制程來取代部份金屬。高摻雜濃度通常會在n或是p后面附加一上標(biāo)的“+"號，例如n代表摻雜濃度非常高的n型半導(dǎo)體，反之例如p則代表輕摻雜的p型半導(dǎo)體。需要特別說明的是即使摻雜濃度已經(jīng)高到讓半導(dǎo)體“退化"（degenerate）為導(dǎo)體，摻雜物的濃度和原本的半導(dǎo)體原子濃度比起來還是差距非常大。以一個有晶格結(jié)構(gòu)的硅本質(zhì)半導(dǎo)體而言，原子濃度大約是5×10 cm，而一般集成電路制程里的摻雜濃度約在10 cm至10 cm之間。摻雜濃度在10 cm以上的半導(dǎo)體在室溫下通常就會被視為是一個“簡并半導(dǎo)體"（degenerated semiconductor）。重?fù)诫s的半導(dǎo)體中，摻雜物和半導(dǎo)體原子的濃度比約是千分之一，而輕摻雜則可能會到十億分之一的比例。在半導(dǎo)體制程中，摻雜濃度都會依照所制造出元件的需求量身打造，以合于使用者的需求。

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