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SEMISTACK CLASSIC系列提供便于集成的預(yù)認(rèn)證功率組件,符合嚴(yán)格的賽米控 質(zhì)量測(cè)試和當(dāng)前環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)。平臺(tái)設(shè)計(jì)經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可為高至兆瓦級(jí)的強(qiáng)大整流器和交流...
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SEMISTACK CLASSIC系列提供便于集成的預(yù)認(rèn)證功率組件,符合嚴(yán)格的賽米控 質(zhì)量測(cè)試和當(dāng)前環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)。平臺(tái)設(shè)計(jì)經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可為高至兆瓦級(jí)的強(qiáng)大整流器和交流...
肖特基二極管肖特基(Schottky)二極管,又稱肖特基勢(shì)壘二極管(簡(jiǎn)稱 SBD),它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短(可以小到幾納...
除了普通PN結(jié)二極管的特性參數(shù)之外,用于檢波和混頻的SBD電氣參數(shù)還包括中頻阻抗(指SBD施加額定本振功率時(shí)對(duì)特定中頻所呈現(xiàn)的阻抗,一般在200Ω~600Ω之間...
除了普通PN結(jié)二極管的特性參數(shù)之外,用于檢波和混頻的SBD電氣參數(shù)還包括中頻阻抗(指SBD施加額定本振功率時(shí)對(duì)特定中頻所呈現(xiàn)的阻抗,一般在200Ω~600Ω之間...
肖特基二極管肖特基(Schottky)二極管,又稱肖特基勢(shì)壘二極管(簡(jiǎn)稱 SBD),它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短(可以小到幾納...
肖特基(Schottky)二極管的最大特點(diǎn)是正向壓降 VF 比較小。在同樣電流的情況下,它的正向壓降要小許多。另外它的恢復(fù)時(shí)間短。它也有一些缺點(diǎn):耐壓比較低,漏...
肖特基二極體最大的缺點(diǎn)是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大,像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體,其反向偏壓額定耐壓最高只到 50V,而反向漏電流值為正溫度特性,容易...
典型的肖特基整流管的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)是以N型半導(dǎo)體為基片,在上面形成用砷作摻雜劑的N-外延層。陽(yáng)極使用鉬或鋁等材料制成阻檔層。用二氧化硅(SiO2)來(lái)消除邊緣區(qū)域的...
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD)的簡(jiǎn)稱。SBD不...
快恢復(fù)二極管與肖特基二極管相比,其耐壓值要高得多。它主要用作高速整流元件,在開(kāi)關(guān)電源和逆變電源中作整流一極管,以降低關(guān)斷損耗,提高效率和減小噪聲。三社快恢復(fù)二極...
快速恢復(fù)二極管也常用普通二極管的圖形符號(hào)來(lái)表示,用文字說(shuō)明或在型號(hào)上予以區(qū)別??焖倩謴?fù)二極管與普通二極管相似,但制造工藝與普通一極管有所不同。在靠近PN結(jié)處的摻...
超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進(jìn)一步減小,使其trr可低至幾十納秒。20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大多采用TO-220封裝形式。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看,可分成單管、對(duì)管...
超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進(jìn)一步減小,使其trr可低至幾十納秒。20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大多采用TO-220封裝形式。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看,可分成單管、對(duì)管...
超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進(jìn)一步減小,使其trr可低至幾十納秒。20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大多采用TO-220封裝形式。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看,可分成單管、對(duì)管...
超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進(jìn)一步減小,使其trr可低至幾十納秒。20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大多采用TO-220封裝形式。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看,可分成單管、對(duì)管...
超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進(jìn)一步減小,使其trr可低至幾十納秒。20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大多采用TO-220封裝形式。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看,可分成單管、對(duì)管...
快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同,它是在P型、N型硅材料中間增加了基區(qū)I,構(gòu)成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄,反向恢復(fù)電荷很小,不僅大大減小了trr值,還降...
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