SEMISTACK CLASSIC系列提供便于集成的預(yù)認證功率組件，符合嚴格的賽米控 質(zhì)量測試和當前環(huán)境標準。平臺設(shè)計經(jīng)過優(yōu)化，可為高至兆瓦級的強大整流器和交流...

SEMISTACK CLASSIC系列提供便于集成的預(yù)認證功率組件，符合嚴格的賽米控 質(zhì)量測試和當前環(huán)境標準。平臺設(shè)計經(jīng)過優(yōu)化，可為高至兆瓦級的強大整流器和交流...

SEMISTACK CLASSIC系列提供便于集成的預(yù)認證功率組件，符合嚴格的賽米控 質(zhì)量測試和當前環(huán)境標準。平臺設(shè)計經(jīng)過優(yōu)化，可為高至兆瓦級的強大整流器和交流...

SEMISTACK CLASSIC系列提供便于集成的預(yù)認證功率組件，符合嚴格的賽米控 質(zhì)量測試和當前環(huán)境標準。平臺設(shè)計經(jīng)過優(yōu)化，可為高至兆瓦級的強大整流器和交流...

肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。顯著的特點為反向恢復(fù)時間極短（可以小到幾納...

除了普通PN結(jié)二極管的特性參數(shù)之外，用于檢波和混頻的SBD電氣參數(shù)還包括中頻阻抗（指SBD施加額定本振功率時對特定中頻所呈現(xiàn)的阻抗，一般在200Ω～600Ω之間...

除了普通PN結(jié)二極管的特性參數(shù)之外，用于檢波和混頻的SBD電氣參數(shù)還包括中頻阻抗（指SBD施加額定本振功率時對特定中頻所呈現(xiàn)的阻抗，一般在200Ω～600Ω之間...

肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。顯著的特點為反向恢復(fù)時間極短（可以小到幾納...

肖特基（Schottky）二極管的最大特點是正向壓降 VF 比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復(fù)時間短。它也有一些缺點：耐壓比較低，漏...

肖特基二極體最大的缺點是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大，像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體，其反向偏壓額定耐壓最高只到 50V，而反向漏電流值為正溫度特性，容易...

典型的肖特基整流管的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)是以N型半導(dǎo)體為基片，在上面形成用砷作摻雜劑的N-外延層。陽極使用鉬或鋁等材料制成阻檔層。用二氧化硅（SiO2）來消除邊緣區(qū)域的...

肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不...

快恢復(fù)二極管與肖特基二極管相比，其耐壓值要高得多。它主要用作高速整流元件，在開關(guān)電源和逆變電源中作整流一極管，以降低關(guān)斷損耗，提高效率和減小噪聲。三社快恢復(fù)二極...

快速恢復(fù)二極管也常用普通二極管的圖形符號來表示，用文字說明或在型號上予以區(qū)別?？焖倩謴?fù)二極管與普通二極管相似，但制造工藝與普通一極管有所不同。在靠近PN結(jié)處的摻...

超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進一步減小，使其trr可低至幾十納秒。20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大多采用TO-220封裝形式。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看，可分成單管、對管...

超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進一步減小，使其trr可低至幾十納秒。20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大多采用TO-220封裝形式。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看，可分成單管、對管...

超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進一步減小，使其trr可低至幾十納秒。20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大多采用TO-220封裝形式。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看，可分成單管、對管...

超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進一步減小，使其trr可低至幾十納秒。20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大多采用TO-220封裝形式。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看，可分成單管、對管...

超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進一步減小，使其trr可低至幾十納秒。20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大多采用TO-220封裝形式。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看，可分成單管、對管...

快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同，它是在P型、N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構(gòu)成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，不僅大大減小了trr值，還降...