半橋有三種結(jié)構(gòu):一種是將兩只二極 管順向串聯(lián),在結(jié)點處引出一電極(如 2CQ1 型),另一 種是將兩只二極管背靠背式反極性連接(稱共陰式,如 2CQ2 型);第...

整流橋堆：整流橋堆一般用在全波整流電路中，它又分為全橋與半橋。全橋的正向電流有0.5A、1A、1.5A、2A、2.5A、3A、5A、10A、20A、35A、50...

功率模塊 西門康橋式整流器 整流模塊變頻器。整流橋通常是由兩只或四只整流硅芯片作橋式連接，兩只的為半橋，四只的則稱全橋。外部采用絕緣朔料封裝而成，大功率整流橋在...

三相整流電路通常用于大功率場合，相比于單相整流電路，三相整流電路輸出電壓脈動小，低次諧波頻率也比單相整流電路的高。用電感濾波效果好?，F(xiàn)貨西門康整流器功率模塊整流...

整流橋由控制器的控制角控制, 當控制角為0°～90°時， 整流橋處于整流狀態(tài), 輸出電壓的平均值為正;當控制角為90°～180&#...

按整流變壓器的類型可以分為傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器和自耦式多脈沖變壓整流器。傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器采用隔離變壓器實現(xiàn)輸入電壓和輸出電壓的隔離，但整流變壓器的等效容...

整流橋一般帶有足夠大的電感性負載， 因此整流橋不出現(xiàn)電流斷續(xù)。一般整流橋應用時, 常在其負載端接有平波電抗器, 故可將其負載視為恒流源。多組三相整流橋相互連接，...

橋式整流器將整流電路的所有分支集成在單個緊湊的外殼中。其電流范圍從幾安培到數(shù)百安培不等，具有不同的封裝形式。賽米控提供不控、半控、全控的單相或三相拓撲結(jié)構(gòu)的橋式...

可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此功率，因元件開關損可控硅的優(yōu)點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內(nèi)...

可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此功率，因元件開關損可控硅的優(yōu)點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內(nèi)...

肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納...

除了普通PN結(jié)二極管的特性參數(shù)之外，用于檢波和混頻的SBD電氣參數(shù)還包括中頻阻抗（指SBD施加額定本振功率時對特定中頻所呈現(xiàn)的阻抗，一般在200Ω～600Ω之間...

除了普通PN結(jié)二極管的特性參數(shù)之外，用于檢波和混頻的SBD電氣參數(shù)還包括中頻阻抗（指SBD施加額定本振功率時對特定中頻所呈現(xiàn)的阻抗，一般在200Ω～600Ω之間...

肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納...

肖特基（Schottky）二極管的最大特點是正向壓降 VF 比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復時間短。它也有一些缺點：耐壓比較低，漏...

肖特基二極體最大的缺點是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大，像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體，其反向偏壓額定耐壓最高只到 50V，而反向漏電流值為正溫度特性，容易...

典型的肖特基整流管的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)是以N型半導體為基片，在上面形成用砷作摻雜劑的N-外延層。陽極使用鉬或鋁等材料制成阻檔層。用二氧化硅（SiO2）來消除邊緣區(qū)域的...

肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不...

橋式整流是對二極管半波整流的一種改進。橋式整流器對輸入正弦波的利用效率比半波整流高一倍。橋式整流是交流電轉(zhuǎn)換成直流電的第一個步驟。 需要特別指出的是，二極管作為...

橋式整流器利用四個二極管，兩兩對接。輸入正弦波的正半部分是兩只管導通，得到正的輸出；輸入正弦波的負半部分時，另兩只管導通，由于這兩只管是反接的，所以輸出還是得到...