江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第4年

18913062875

  • IXBN75N170 德國艾賽斯IGBT模塊/功率半導(dǎo)體

    IGBT是第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動(dòng)汽車、UPS、開關(guān)電源等。問世有十年多歷史...

    型號(hào)： IXA60IF12... 所在地：蘇州市參考價(jià)： ￥320更新時(shí)間：2024/6/24 16:35:43 對(duì)比
    德國 IXYS艾賽斯電子元器件半導(dǎo)體模塊IGBT模塊晶體管
  • 美高森美MOS管/場(chǎng)效應(yīng)管/功率模塊/APT系列

    MOS管導(dǎo)通特性，導(dǎo)通的意義是作為開關(guān)，相當(dāng)于開關(guān)閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適宜用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動(dòng)），只需柵極電壓抵達(dá)4V或...

    型號(hào)： APT47F60J... 所在地：蘇州市參考價(jià)： ￥320更新時(shí)間：2024/6/24 16:35:42 對(duì)比
    美高森美MOS管場(chǎng)效應(yīng)管半導(dǎo)體模塊電子元器件
  • 低功率艾賽斯IXYS模塊MOS管場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)

    MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常簡(jiǎn)稱為場(chǎng)效應(yīng)管，是一種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。和普通雙極型晶體管相比擬，場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集...

    型號(hào)： 40-100V 所在地：蘇州市參考價(jià)： ￥320更新時(shí)間：2024/6/24 16:35:41 對(duì)比
    艾賽斯IXYS場(chǎng)效應(yīng)管MOS管MOS場(chǎng)效應(yīng)管半導(dǎo)體模塊
  • 艾賽斯模塊MOS管現(xiàn)貨供應(yīng)

    MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(Insulator)—半導(dǎo)體。MOS...

    型號(hào)： 150-300V 所在地：蘇州市參考價(jià)： ￥320更新時(shí)間：2024/6/24 16:35:40 對(duì)比
    德國IXYS艾賽斯MOS管場(chǎng)效應(yīng)管半導(dǎo)體模塊艾賽斯模塊
  • MOS管/三極管/場(chǎng)效應(yīng)管 德國IXYS艾賽斯

    MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效...

    型號(hào)： 500-650V 所在地：蘇州市參考價(jià)： ￥320更新時(shí)間：2024/6/24 16:35:39 對(duì)比
    德國IXYS艾賽斯MOS管場(chǎng)效應(yīng)管半導(dǎo)體模塊電子元器件
  • 艾賽斯IXYS場(chǎng)效應(yīng)管MOS管觸發(fā)開關(guān)驅(qū)動(dòng)模塊

    MOS具有以下特點(diǎn)：開關(guān)速度快、高頻率性能好、輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)功率小、熱穩(wěn)定性優(yōu)良、無二次擊穿問題、全工作區(qū)寬、工作線性度高等。其最重要的有點(diǎn)就是能夠減少體積大...

    型號(hào)： 800-900V 所在地：蘇州市參考價(jià)： ￥320更新時(shí)間：2024/6/24 16:35:38 對(duì)比
    艾賽斯IXYS場(chǎng)效應(yīng)管MOS管MOS場(chǎng)效應(yīng)管半導(dǎo)體模塊
  • 德國艾賽斯MOS管場(chǎng)效應(yīng)管模塊貼片大功率

    mos管在電路中一般用作電子開關(guān)，在開關(guān)電源中常用MOS管的漏極開路電路，漏極原封不動(dòng)地接負(fù)載，叫開路漏極，開路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓，都能夠接通和關(guān)斷...

    型號(hào)： 1000-2500... 所在地：蘇州市參考價(jià)： ￥320更新時(shí)間：2024/6/24 16:35:38 對(duì)比
    德國艾賽斯MOS管模塊半導(dǎo)體模塊MOS場(chǎng)效應(yīng)管艾賽斯
  • IGBT模塊西門康模塊全系列可控硅賽米控

    SKiiP 的關(guān)鍵特性:集成驅(qū)動(dòng)、功率模塊和散熱器、集成溫度測(cè)量、集成精準(zhǔn)的電流傳感器、集成直流母線監(jiān)測(cè)、SKiiP4包含可配置和讀取的CAN總線、100%免焊...

    型號(hào)： SKIIP AHB... 所在地：蘇州市參考價(jià)： ￥155更新時(shí)間：2024/6/24 16:34:36 對(duì)比
    IGBT模塊西門康模塊SEMIKRON賽米控半導(dǎo)體模塊SKIIP IPM系列
  • 德國賽米控大功率IPM模塊西門康IGBT模塊

    SKiiP產(chǎn)品特點(diǎn)是：4合1：功率IPM驅(qū)動(dòng)器、功率半導(dǎo)體、高精度電流傳感器和高性能冷卻風(fēng)冷或水冷（HPC）；采用了燒結(jié)技術(shù)，功率循環(huán)能力提高了2-3倍(SKi...

    型號(hào)： SKiiP GB系... 所在地：蘇州市參考價(jià)： ￥155更新時(shí)間：2024/6/24 16:34:35 對(duì)比
    IPM模塊西門康IGBT模塊西門康模塊IGBT模塊半導(dǎo)體模塊
  • 西門康智能功率模塊SKIIP全新IGBT型號(hào)齊全

    SKiiP*功率范圍0.5至6MW的風(fēng)力發(fā)電機(jī)的特定要求。除了風(fēng)力發(fā)電應(yīng)用外，SKiiP模塊還可用于電梯、太陽能和軌道交通應(yīng)用——事實(shí)上，動(dòng)力強(qiáng)勁且安全可靠的I...

    型號(hào)： SKIIP AC系... 所在地：蘇州市參考價(jià)： ￥155更新時(shí)間：2024/6/24 16:34:34 對(duì)比
    SKIIP西門康IGBT智能模塊半導(dǎo)體模塊電子元器件
  • SKIIP智能功率模塊IGBT西門康驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體

    SKiiP IPM產(chǎn)品系列為高性能和穩(wěn)健的逆變器設(shè)計(jì)樹立了一個(gè)基準(zhǔn)。SKiiP 3和SKiiP 4都具有高功率密度，結(jié)合靈活的冷卻選項(xiàng)，如風(fēng)冷和水冷卻或定制的散...

    型號(hào)： NAC系列 所在地：蘇州市參考價(jià)： ￥155更新時(shí)間：2024/6/24 16:34:33 對(duì)比
    SKIIP智能模塊西門康塞米控IGBT模塊半導(dǎo)體模塊
  • 西門康SEMIKRON賽米控SKiiP IPM系列IGBT

    得益于銀燒結(jié)和高性能冷卻器技術(shù)，SKiiP提高了對(duì)苛刻的電源循環(huán)條件的可靠性。與傳統(tǒng)的焊接方法相比，燒結(jié)技術(shù)延長(zhǎng)了工作壽命，提高了對(duì)主動(dòng)和被動(dòng)熱循環(huán)的彈性。SK...

    型號(hào)： SKIIP11NA... 所在地：蘇州市參考價(jià)： ￥155更新時(shí)間：2024/6/24 16:34:33 對(duì)比
    SKiiP 系列西門康SEMIKRON賽米控IGBT模塊SKIIP11NAB半導(dǎo)體模塊
  • 德國西門康IGBT功率模塊SKM200/300GBD齊全

    IGBT 在開通過程中，大部分時(shí)間是作為MOSFET 來運(yùn)行的，只是在漏源電壓Uds 下降過程后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和，又增加了一段延遲時(shí)間。td(...

    型號(hào)： GBD系列 所在地：蘇州市參考價(jià)： ￥155更新時(shí)間：2024/6/24 16:34:32 對(duì)比
    德國西門康IGBT模塊GDB系列電子元器件半導(dǎo)體模塊
  • 西門康IGBT模塊SKM200GAH123/126半導(dǎo)體模塊

    賽米控提供SEMITRANS、SEMiX、SKiM、MiniSKiiP和SEMITOP封裝形式的IGBT模塊，支持不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、額定電流和電壓。這些IGBT模...

    型號(hào)： GAH系列 所在地：蘇州市參考價(jià)： ￥155更新時(shí)間：2024/6/24 16:34:31 對(duì)比
    西門康IGBT模塊電子元器件半導(dǎo)體模塊GAH系列
  • 6U德國西門康IGBT功率模塊六單元全新現(xiàn)貨

    IGBT動(dòng)態(tài)特性是 ：IGBT 在開通過程中，大部分時(shí)間是作為MOSFET 來運(yùn)行的，只是在漏源電壓Uds 下降過程后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和，又增加...

    型號(hào)： GD六單元 所在地：蘇州市參考價(jià)： ￥155更新時(shí)間：2024/6/24 16:34:31 對(duì)比
    GD六單元西門康模塊IGBT模塊西門康IGBT模塊
  • 西門康模塊IGBT模塊斬波模塊(IGBT+二極管)

    IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，俗稱電力電子裝置的“CPU"，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。I...

    型號(hào)： GAR單開關(guān) 所在地：蘇州市參考價(jià)： ￥155更新時(shí)間：2024/6/24 16:34:30 對(duì)比
    西門康模塊IGBT模塊西門康IGBTGAR開關(guān)
  • 西門康IGBT模塊SKM電子元器件半導(dǎo)體全系列

    西門康IGBT驅(qū)動(dòng)板 包括三大類：Driver驅(qū)動(dòng)板、Driver Core驅(qū)動(dòng)芯、Adaptor Board適配板，適于驅(qū)動(dòng)600V、1200V、1700V三...

    型號(hào)： GAL單開關(guān) 所在地：蘇州市參考價(jià)： ￥155更新時(shí)間：2024/6/24 16:34:29 對(duì)比
    西門康IGBTIGBT模塊GAL單開關(guān)西門康模塊
  • 西門康SEMIKRON賽米控IGBT模塊電子元器件2U

    IGBT,絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GT...

    型號(hào)： GB兩單元 所在地：蘇州市參考價(jià)： ￥155更新時(shí)間：2024/6/24 16:34:29 對(duì)比
    GB兩單元西門康IGBT模塊塞米控電子元器件
  • 西門康IGBT模塊分立半導(dǎo)體模塊一單元(1U)

    SEMITRANS是一種穩(wěn)健的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，配備銅底板和用于電源連接的螺絲端子。SEMITRANS封裝采用低電感設(shè)計(jì)，可用于20kW至500kW的逆變器。通過多...

    型號(hào)： GA一單元 600... 所在地：蘇州市參考價(jià)： ￥155更新時(shí)間：2024/6/24 16:34:28 對(duì)比
    西門康IGBT模塊GA一單元西門康模塊SEMITRANS系列
  • 晶閘管/二極管英飛凌模塊T系列可控硅原裝

    可控硅從外形主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應(yīng)用較多?？煽毓栌腥齻€(gè)電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的...

    型號(hào)： TD系列 所在地：蘇州市參考價(jià)： ￥155更新時(shí)間：2024/6/24 16:34:27 對(duì)比
    晶閘管二極管模塊英飛凌可控硅模塊T系列
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