快恢復(fù)二極管（簡(jiǎn)稱(chēng)FRD）是一種具有開(kāi)關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、...

可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過(guò)此功率，因元件開(kāi)關(guān)損可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)...

MOS管導(dǎo)通特性，導(dǎo)通的意義是作為開(kāi)關(guān)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適宜用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動(dòng)），只需柵極電壓抵達(dá)4V或...

MOS管導(dǎo)通特性，導(dǎo)通的意義是作為開(kāi)關(guān)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適宜用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動(dòng)），只需柵極電壓抵達(dá)4V或...

IGBT是第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動(dòng)汽車(chē)、UPS、開(kāi)關(guān)電源等。問(wèn)世有十年多歷史...

IGBT是第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動(dòng)汽車(chē)、UPS、開(kāi)關(guān)電源等。問(wèn)世有十年多歷史...

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IGBT是第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動(dòng)汽車(chē)、UPS、開(kāi)關(guān)電源等。問(wèn)世有十年多歷史...

注意事項(xiàng)：測(cè)正向?qū)▔航禃r(shí)，必須使用R×1檔。若用R×1k檔，因測(cè)試電流太小，遠(yuǎn)低于管子的正常工作電流，故測(cè)出的VF值將明顯偏低。在上面例子...

超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進(jìn)一步減小，使其trr可低至幾十納秒。20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大多采用TO-220封裝形式。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看，可分成單管、對(duì)管...

巴斯曼快速熔斷器熔斷器是一種簡(jiǎn)單而有效的保護(hù)電器。在電路中主要起短路保護(hù)作用。 熔斷器主要由熔體和安裝熔體的絕緣管(絕緣座)組成。使用時(shí)，熔體串接于被保護(hù)的電路...

IXYS成立于1983年,是一家總部位于德國(guó)并在美國(guó)納斯達(dá)上市的世界著名半導(dǎo)體生產(chǎn)商，公司致力于提高效率,降低能耗的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn),包括MOSFET...

IXYS成立于1983年,是一家總部位于德國(guó)并在美國(guó)納斯達(dá)上市的世界著名半導(dǎo)體生產(chǎn)商，公司致力于提高效率,降低能耗的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn),包括MOSFET...

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IXYS成立于1983年,是一家總部位于德國(guó)并在美國(guó)納斯達(dá)上市的世界著名半導(dǎo)體生產(chǎn)商，公司致力于提高效率,降低能耗的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn),包括MOSFET...