無錫冠亞恒溫制冷技術有限公司
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藥用輔料制冷加熱控溫系統 膜分離控溫TCU

參   考   價: 159256

訂  貨  量: ≥1 臺

具體成交價以合同協議為準

產品型號SUNDI-135

品       牌LNEYA/無錫冠亞

廠商性質生產商

所  在  地無錫市

更新時間:2024-01-11 09:04:42瀏覽次數:569次

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產地類別 國產 價格區(qū)間 10萬-20萬
應用領域 化工,生物產業(yè),石油,制藥,綜合
【無錫冠亞】藥用輔料制冷加熱控溫系統 膜分離控溫TCU,應用于對玻璃反應釜、金屬反應釜、生物反應器進行升降溫、恒溫控制,尤其適合在反應過程中有需熱、放熱過程控制。解決化學醫(yī)藥工業(yè)用準確控溫的特殊裝置,用以滿足間歇反應器溫度控制或持續(xù)不斷的工藝進程的加熱及冷卻、恒溫系統。


無錫冠亞冷熱一體機典型應用于:

高壓反應釜冷熱源動態(tài)恒溫控制、雙層玻璃反應釜冷熱源動態(tài)恒溫控制、

雙層反應釜冷熱源動態(tài)恒溫控制、微通道反應器冷熱源恒溫控制;

小型恒溫控制系統、蒸飽系統控溫、材料低溫高溫老化測試、

組合化學冷源熱源恒溫控制、半導體設備冷卻加熱、真空室制冷加熱恒溫控制



無錫冠亞制冷加熱控溫系統應用介紹


反應釜配套制冷加熱控溫系統應用:

反應釜配套制冷加熱控溫系統?泛應于?油、化?、橡膠、染料、醫(yī)藥、?品等?產型用戶和各種科研實驗項?的研究來完成?藝過程的容器。無錫冠亞制冷加熱控溫系統控溫時溫度穩(wěn)定、升降溫速率快、可連續(xù)穩(wěn)定運、實時記錄反應過程溫度。

微通道反應器配套制冷加熱控溫系統應用:

微通道反應器配套制冷加熱控溫系統可執(zhí)不同類型的反應,于微反應丁藝開發(fā)及精細化學品合成。無錫冠亞制冷加熱控溫系統寬溫度范圍,?精度智能溫控,單流體控溫,需更導熱介質穩(wěn)定?產。

新能源汽車制冷加熱測試系統應用:

新能源汽?業(yè),制冷加熱控溫系統主要應在測試、檢測臺架和材料測試等環(huán)節(jié)。無錫冠亞制冷加熱控溫系統可同時對多個樣品進溫度控制,控制系統可記錄與導出測試過程中的溫度數據,可滿??部分元件在特定的溫度變化條件下測試。

半導體行業(yè)制冷加熱測試系統應用:

制冷加熱控溫系統于半導體、LEDLCD、太陽能光伏等領域。芯片、模塊、集成電路板、電子元器件等提供準確且快速的環(huán)境溫度。無錫冠亞制冷加熱控溫系統是對產品電性能測試、失效分析、可靠性評估的儀器設備。



型號

SUNDI-125

SUNDI-125W

SUNDI-135

SUNDI-135W

SUNDI-155

SUNDI-155W

SUNDI-175

SUNDI-175W

SUNDI-1A10

SUNDI-1A10W

SUNDI-1A15

SUNDI-1A15W

介質溫度范圍

-10℃~+200℃

控制系統

前饋PID ,無模型自建樹算法,PLC控制器

溫控模式選擇

物料溫度控制與設備出口溫度控制模式 可自由選擇

溫差控制

設備出口溫度與反應物料溫度的溫差可控制、可設定

程序編輯

可編制5條程序,每條程序可編制40段步驟

通信協議

MODBUS RTU 協議  RS 485接口

外接入溫度反饋

PT100或4~20mA或通信給定(默認PT100)

溫度反饋

設備導熱介質 溫度、出口溫度、反應器物料溫度(外接溫度傳感器)三點溫度

導熱介質溫控精度

±0.5℃

反應物料溫控精度

±1℃

加熱功率 kW

2.5

3.5

5.5

7.5

10

15

制冷量 kW

200℃

2.5

3.5

5.5

7.5

10

15

20℃

2.5

3.5

5.5

7.5

10

15

-5℃

1.5

2.1

3.3

4.2

6

9

流量壓力 max

L/min bar

20

35

35

50

50

75

2

2

2

2

2

2.5

壓縮機

海立

艾默生谷輪/丹佛斯渦旋壓縮機

膨脹閥

丹佛斯/艾默生熱力膨脹閥

蒸發(fā)器

丹佛斯/高力板式換熱器

操作面板

7英寸彩色觸摸屏,溫度曲線顯示、記錄

安全防護

具有自我診斷功能;冷凍機過載保護;高壓壓力開關,過載繼電器、熱保護裝置等多種安全保障功能。

密閉循環(huán)系統

整個系統為全密閉系統,高溫時不會有油霧、低溫不吸收空氣中水份,系統在運行中不會因為高溫使壓力上升,低溫自動補充導熱介質。

制冷劑

R-404A/R507C

接口尺寸

G1/2

G3/4

G3/4

G1

G1

G1

水冷型 W

溫度 20度

600L/H

1.5bar~4bar

G3/8

800L/H

1.5bar~4bar

G1/2

1000L/H

1.5bar~4bar

G3/4

1200L/H

1.5bar~4bar

G3/4

1600L/H

1.5bar~4bar

G3/4

2000L/H

1.5bar~4bar

G3/4

外型尺寸(水)cm

45*65*120

50*85*130

50*85*130

55*100*175

55*100*175

70*100*175

外形尺寸 (風)cm

45*65*120

50*85*130

55*100*175

55*100*175

70*100*175

70*100*175

隔爆尺寸(風) cm

45*110*130

45*110*130

45*110*130

55*120*170

55*120*170

55*120*170

正壓防爆(水)cm

110*95*195

110*95*195

110*95*195

110*95*195

110*95*195

120*110*195

常規(guī)重量kg

115

165

185

235

280

300

電源 380V 50HZ

AC 220V 50HZ 3.6kW

5.6kW

7.5kW

10kW

13kW

20kW

選配風冷尺寸cm

/

50*68*145

50*68*145

50*68*145

/

/






藥用輔料制冷加熱控溫系統 膜分離控溫TCU

藥用輔料制冷加熱控溫系統 膜分離控溫TCU


  隨著科技的不斷發(fā)展,半導體行業(yè)對設備性能和溫度控制的要求越來越高。射流式制冷加熱控溫系統作為一種溫度控制技術,在半導體行業(yè)中得到了廣泛應用。然而,在購買此類設備時,需要注意以下幾點,以確保選購到適合且可靠的設備。

  1、了解設備性能參數

  射流式制冷加熱控溫系統的性能參數是決定設備性能的關鍵因素。購買時需要了解設備的制冷/加熱能力、溫度控制范圍、溫度波動性等參數,以確保選購的設備能夠滿足生產工藝的要求。

  2、考慮設備可靠性

  半導體生產過程中需要溫度控制精度高且穩(wěn)定性好的設備。購買射流式制冷加熱控溫系統時,需要選擇具有高可靠性的設備,如采用品質的材料、加工工藝和嚴格的質量控制等。此外,了解設備的故障率和使用壽命等信息也是選購時需要考慮的因素。

  3、關注設備適用性

  不同的半導體工藝需要不同的溫度控制要求。購買射流式制冷加熱控溫系統時,需要注意設備的適用性。例如,對于一些需要快速加熱或冷卻的工藝,需要選擇具有快速響應速度的設備;對于一些需要長時間穩(wěn)定控制的工藝,需要選擇具有長時間穩(wěn)定性的設備。



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