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上海自動(dòng)化儀表集團(tuán)有限公司
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MWFT-1薄膜鉑熱電阻
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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)- 產(chǎn)品型號(hào)
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訪問次數(shù)：133更新時(shí)間：2023-08-14 13:55:01
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產(chǎn)品簡介
產(chǎn)品介紹
MWFT-1薄膜鉑熱電阻作為新一代的溫度測(cè)量和調(diào)節(jié)傳感器，通常用來和顯示儀表等配套，以直接測(cè)量各種生產(chǎn)過程中-79℃～600℃范圍內(nèi)液體，蒸汽和氣體介質(zhì)及固定表面等溫度，應(yīng)符合JB/T8622-1997標(biāo)準(zhǔn)。
MWFT-1薄膜鉑熱電阻結(jié)構(gòu)原理
原理：熱電阻是利用物質(zhì)在溫度變化時(shí)，其本身電阻也隨著溫度發(fā)生變化的特性來測(cè)量溫度的。熱電阻的受部部分（感溫元件）是以硅片作基體；采用*的濺射、光刻激光調(diào)阻等工藝手段，來實(shí)現(xiàn)鉑電阻薄膜化的。從而達(dá)到全固態(tài)、超小型、響應(yīng)快、高可靠性和高的性能價(jià)格比的目的。
結(jié)構(gòu)：各種熱電阻的外型通常是極不相同的，但它們的基本結(jié)構(gòu)卻大致相似。一般由感溫元件、絕緣套管、保護(hù)管和接線盒等主要部分組成。
1．感溫元件，采用薄膜鉑熱電阻，它是熱電阻的核心部分。
2．保護(hù)管：根據(jù)被測(cè)介質(zhì)的狀況和測(cè)量溫度的不同，采用不同的材料制成。保護(hù)管要求耐溫、耐腐蝕、能承受溫度的劇變，有良好的氣密性以及足夠的機(jī)械強(qiáng)度等。
3．接線盒：接線盒內(nèi)裝有接線端子，使用時(shí)只要接上導(dǎo)線，就可以和顯示儀表相連接。接線盒一般采用鋁合金材料制成，具有一定的機(jī)械強(qiáng)度和密封性能。它的結(jié)構(gòu)形式有防水式、防濺式、插座式和隔爆型以及簡易式、電纜導(dǎo)線式等。
4. 安裝固定裝置：熱電阻的安裝固定裝置是供現(xiàn)場(chǎng)安裝用。固定裝置形式有固定螺紋、固定法蘭、活動(dòng)法蘭、固定卡套螺紋、活動(dòng)卡套螺紋、可動(dòng)卡套法蘭和固定卡套法蘭。還有不帶固定裝置的品種。
MWFT-1薄膜鉑熱電阻
- 的參數(shù)與規(guī)格：
- 技術(shù)參數(shù)
主要技術(shù)指標(biāo)
熱電阻感溫元件在0℃的電阻值（R0）
分度號(hào)Pt100 B級(jí) R0=100±0.12Ω
鉑熱電阻的電阻與溫度關(guān)系一般可用以下關(guān)系表示：在-79～0℃范圍內(nèi)
Rt=R0｛1+At+Bt2+C(t-100℃)t3｝
Rt=R0(1+At+Bt2)
Rt 為t℃時(shí)熱電阻的電阻值（Ω）
式中的R0為0℃時(shí)熱電阻的電阻值（Ω）
t為被測(cè)介質(zhì)溫度（℃）
A、B、C等均為有關(guān)的分度常數(shù)
溫度范圍和準(zhǔn)確度
熱電阻類別
分度號(hào)
精度等級(jí)
測(cè)溫范圍℃
允許偏差△t
WZP型薄膜鉑熱電阻
Pt100
B級(jí)
-79～600
±（0.3 +0.005︱t︱）
注：1）式中“t”為感溫元件實(shí)測(cè)溫度值（℃）。
2）實(shí)際適用溫度須根據(jù)具體情況而定。
自然影響：通過熱電阻中的測(cè)量電流為2mA，測(cè)得的電阻增量換算成溫度值應(yīng)不大于0.3℃。
熱響應(yīng)時(shí)間。
當(dāng)被測(cè)介質(zhì)（一定溫度和規(guī)定流速的水）溫度出現(xiàn)隊(duì)躍變化時(shí)，熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%所需的時(shí)間，用了T0.5表示。
公稱壓力S
系指在室溫下保護(hù)管所承受的靜態(tài)外壓而不破損，測(cè)溫性能不受其影響。
絕緣電阻
當(dāng)周圍空氣溫度為15～35℃和相對(duì)濕度不大于80%時(shí)，熱電阻感溫元件和保護(hù)管之間以及雙支感溫元件之間的絕緣電阻，應(yīng)不小于100MΩ（電壓10～100V）。
zui小可置入深度
一般應(yīng)不小于其保護(hù)管外徑的15倍，再加上感溫元件的長度。
MWFT-1薄膜鉑熱電阻型號(hào)和規(guī)格
型 號(hào)
尺寸mm
0℃標(biāo)稱電阻
測(cè)溫范圍℃
d
b
w
l
φ
MWFT-1
0.5
4
2
8
0.2
100Ω
-79～100
MWFT-2
0.5
10
3
10
0.2
100Ω
-79～500
MWFT-3
0.5
15
3
10
0.25
100Ω
-79～600
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