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目錄:北京鴻瑞正達科技有限公司>>薄膜材料生長成套設備>> 4路質(zhì)子混氣管式PECVD系統(tǒng)

4路質(zhì)子混氣管式PECVD系統(tǒng)
  • 4路質(zhì)子混氣管式PECVD系統(tǒng)
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
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更新時間:2024-03-12 17:13:13瀏覽次數(shù):244評價

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產(chǎn)品簡介:4路質(zhì)子混氣管式PECVD系統(tǒng)是為了使化學反應能在較低的溫度下進行


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產(chǎn)品簡介: 4 路質(zhì)子混氣管式 PECVD 系統(tǒng)是為了使化學反應能在較低的溫度下進行,利用了等離子體的活 性來促進反應,環(huán)境溫度在 100-300℃,但反應氣體在輝光放電等離子體中能受激分解、離解和離化,從 而大大提高了反應物的活性, 這些具有反應活性的中性物質(zhì)很容易被吸附到較次溫度的基本表面上, 發(fā)生 非平衡的化學反應沉積生成薄膜,因此這種 CVD 稱為等離子體增強化學氣相沉積法(PECVD)。


產(chǎn)品型號

4 路質(zhì)子混氣管式 PECVD 系統(tǒng)

安裝條件

本設備要求在海拔 1000m 以下, 溫度 25℃±15℃ ,濕度 55%Rh±10%Rh 下使用。


1、水:不需要


2、電: AC220V 50Hz,必須有良好接地


3、氣:設備腔室內(nèi)需充注氣體,需自備氣瓶氣源


4、工作臺: 尺寸 1600mm×600mm×700mm ,承重 150kg 以上


5、通風裝置:需要

主要特點

1、內(nèi)爐膛表面涂有美國進口的高溫氧化鋁涂層可以提高設備的加熱效率,同時也可以延長儀 器的使用壽命。


2 、輝光放電等離子體中電子密度可達 109cm3-1012cm3


3 、電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出 10-100 倍。


4、配有高精度數(shù)字顯示質(zhì)量流量計,可準確地控制氣體流量。


5、一個氣體混氣罐的底部安裝了液體釋放閥。


6、不銹鋼針閥安裝在左側部分,可手動控制混合氣體的輸入。





7 、已通過 CE 認證。

技術參數(shù)

管式爐


1、電源: AC220V    4KW


2、爐管: ?50mm ,?60mm ,?80mm 都可用


3、溫度控制器: 30 段高精度數(shù)字可編程溫度控制器


4、加熱區(qū): 440mm


5、恒溫區(qū): 150mm

等離子射頻電源


1、輸入功率: AC220V    1KW


2、輸出功率: 50W-500W 可調(diào),±1%


3 RF 頻率: 13.56MHz


4、噪聲:≤55DB


5、冷卻:風冷

真空泵和質(zhì)量流量計

1、真空度: 10-3torr


2、波紋管: KF25 系列


3、質(zhì)量流量計: 0-200 ,誤差 0.02%,進氣口采用國際標準雙卡頭

產(chǎn)品規(guī)格

尺寸: 管式爐 550mm×380mm×520mm ,供氣及真空系統(tǒng) 600mm×600mm×1250mm


重量: 120kg

可選配件

防腐型數(shù)字式真空顯示計


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