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長(zhǎng)曝光制冷CMOS相機(jī) FL 26BW
  • 長(zhǎng)曝光制冷CMOS相機(jī) FL 26BW
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貨物所在地:福建福州市

更新時(shí)間:2024-05-16 17:36:42

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長(zhǎng)曝光制冷CMOS相機(jī) FL 26BW

28.3 mm(1.8“)
6244(H) × 4168 (V)
3.76 μm x 3.76 μm
< 0.0005 e-/p/s
-25℃ @ 22℃

長(zhǎng)曝光制冷CMOS相機(jī) FL 26BW 是鑫圖新一代深度制冷產(chǎn)品的新成員。它采用索尼新的背照式CMOS探測(cè)器,和鑫圖*制冷密封工藝、圖像降噪技術(shù)聯(lián)合打造,在超長(zhǎng)曝光性能達(dá)到深度制冷CCD水平的同時(shí),視野(1.8英寸),速度、動(dòng)態(tài)范圍等性能全面超越典型的CCD。 可以替代制冷CCD長(zhǎng)曝光應(yīng)用,在高級(jí)顯微成像和工業(yè)檢測(cè)上也有廣泛的應(yīng)用前景。




<0.0005 e-/p/s暗電流 可替代冷CCD長(zhǎng)曝光應(yīng)用


FL 26BW 暗電流低至0.0005 e-/p/s, 芯片制冷溫度可鎖定到零下25℃。即使在長(zhǎng)達(dá)30分鐘曝光時(shí),成像性能(信噪比)仍優(yōu)于典型深度制冷CCD(ICX695)。


長(zhǎng)曝光制冷CMOS相機(jī) FL 26BW




背景均一 定量分析更精準(zhǔn)


FL 26BW 集成了索尼新背照式芯片優(yōu)異的輝光抑制能力,和鑫圖*圖像降噪處理技術(shù),基本杜絕了邊角亮光、壞點(diǎn)像素等不良因素,成像背景均一,更適合定量分析應(yīng)用。


長(zhǎng)曝光制冷CMOS相機(jī) FL 26BW



SONY 背照式科學(xué)級(jí)芯片 綜合成像性能*


FL 26BW采用索尼新一代背照式科學(xué)級(jí)CMOS探測(cè)器,長(zhǎng)曝光性能和CCD相當(dāng),峰值量子效率高達(dá)92%,讀出噪聲僅0.9 e-,弱光成像能力超越CCD,動(dòng)態(tài)范圍更是傳統(tǒng)CCD的4倍以上。


長(zhǎng)曝光制冷CMOS相機(jī) FL 26BW




典型應(yīng)用參考

長(zhǎng)曝光制冷CMOS相機(jī) FL 26BW






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