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功率半導體器件（Powersemiconductor device）也被稱為電力電子器件，是電子裝置電能轉換與電路控制的核心。其作用是在高電壓或大電流條件下，改變電壓和頻率，或將直流轉換為交流、交流轉換為直流等形式的電力轉換，包括變頻、變壓、變流、功率放大和功率管理等。

功率半導體器件通常有三類產(chǎn)品形式，一類是電源管理IC，一類是功率模塊，還有一類是功率分立器件。早期的功率分立器件有大功率二極管和晶閘管等，后期的功率分立器件主要是以MOSFET為代表的新型功率半導體器件，如VDMOS、LDMOS，以及IGBT。

 的封裝制造過程，不僅需要考慮到焊料的印刷性（點涂性）、焊接的可靠性、助焊劑殘留的清洗性、助焊劑殘留和塑封料的兼容性等，還需要考慮到功率器件的大電流、高發(fā)熱量、超高功率的特性。功率器件向著更小晶粒面積發(fā)展的趨勢能帶來性能和成本方面的優(yōu)勢，也會帶來散熱方面的劣勢；向更高的電壓和更低的損耗方向的發(fā)展，則要求焊接層有更小的空洞率，這也加大了我們對于電子材料的均一性，穩(wěn)定性，顆粒集中度有了更的高要求。

 通過使用真空攪拌機以及三輥研磨機，可有效的抑制空洞產(chǎn)生并提高產(chǎn)品的性能。