日本KYOWA復(fù)合材料用箔式應(yīng)變片KFRPB-5-350-D22采用特殊樣式，改善因應(yīng)變片電流引起的自身加熱及低彈性材料補(bǔ)強(qiáng)效果的影響。為了避免因應(yīng)變片電流引起...

日本KYOWA復(fù)合材料用箔式應(yīng)變片KFRPB-2-350-C1采用特殊樣式，改善因應(yīng)變片電流引起的自身加熱及低彈性材料補(bǔ)強(qiáng)效果的影響。為了避免因應(yīng)變片電流引起的...

日本KYOWA復(fù)合材料用箔式應(yīng)變片KFRPB-5-350-C1采用特殊樣式，改善因應(yīng)變片電流引起的自身加熱及低彈性材料補(bǔ)強(qiáng)效果的影響。為了避免因應(yīng)變片電流引起的...

日本KYOWA復(fù)合材料用箔式應(yīng)變片KFRPB-2-120-D22采用特殊樣式，改善因應(yīng)變片電流引起的自身加熱及低彈性材料補(bǔ)強(qiáng)效果的影響。為了避免因應(yīng)變片電流引起...

日本KYOWA復(fù)合材料用箔式應(yīng)變片KFRPB-5-120-D22采用特殊樣式，改善因應(yīng)變片電流引起的自身加熱及低彈性材料補(bǔ)強(qiáng)效果的影響。為了避免因應(yīng)變片電流引起...

日本KYOWA復(fù)合材料用箔式應(yīng)變片KFRPB-2-120-C1采用特殊樣式，改善因應(yīng)變片電流引起的自身加熱及低彈性材料補(bǔ)強(qiáng)效果的影響。為了避免因應(yīng)變片電流引起的...

日本KYOWA復(fù)合材料用箔式應(yīng)變片KFRPB-5-120-C1采用特殊樣式，改善因應(yīng)變片電流引起的自身加熱及低彈性材料補(bǔ)強(qiáng)效果的影響。為了避免因應(yīng)變片電流引起的...

KYOWA高輸出型半導(dǎo)體應(yīng)變片KSPH-4-2K-E4高電阻值的應(yīng)變片，可通過高電橋電壓獲得高輸出電壓。

KYOWA高輸出型半導(dǎo)體應(yīng)變片KSPH-9-10K-E4高電阻值的應(yīng)變片，可通過高電橋電壓獲得高輸出電壓。

中村供應(yīng)愛安德AND微量電子天平BM-5用于元素分析和質(zhì)譜分析等預(yù)處理。 1μg以上的高精度測(cè)量。

GRAPHTEC圖技數(shù)據(jù)記錄儀GL7000選配SSD模塊GL7-SSD通過擴(kuò)展模塊，GL7000可用于各種測(cè)量場(chǎng)景的廣泛應(yīng)用。

GRAPHTEC圖技16通道邏輯/脈沖測(cè)量模塊GL7-L/P打開電源后經(jīng)過30 分鐘或更長時(shí)間時(shí)。采樣率設(shè)置為1 秒。GND 端子接地。

GRAPHTEC圖技8通道模擬電壓輸出模塊GL7-DCO打開電源后經(jīng)過30 分鐘或更長時(shí)間時(shí)。采樣率設(shè)置為1 秒。GND 端子接地。

GRAPHTEC圖技4通道充電模塊電荷放大型模塊GL7-CHA打開電源后經(jīng)過30 分鐘或更長時(shí)間時(shí)。采樣率設(shè)置為1 秒。GND 端子接地。

GRAPHTEC圖技4通道直流應(yīng)變模塊GL7-DCB打開電源后經(jīng)過30 分鐘或更長時(shí)間時(shí)。采樣率設(shè)置為1 秒。GND 端子接地。

GRAPHTEC圖技2通道電壓測(cè)量模塊高壓模型GL7-HV打開電源后經(jīng)過30 分鐘或更長時(shí)間時(shí)。采樣率設(shè)置為1 秒。GND 端子接地。

GRAPHTEC圖技4通道電壓測(cè)量模塊高速采樣GL7-HSV打開電源后經(jīng)過30 分鐘或更長時(shí)間時(shí)。采樣率設(shè)置為1 秒。GND 端子接地。

日本GRAPHTEC圖技10通道電壓和溫度測(cè)量模塊GL7-M滿足條件:室溫23°C+5℃℃。·打開電源后經(jīng)過30 分鐘或更長...

日本GRAPHTEC圖技10通道電壓測(cè)量模塊GL7-V滿足條件:室溫23°C+5℃℃。·打開電源后經(jīng)過30 分鐘或更長時(shí)間時(shí)。過濾器設(shè)置為1...

共和KYOWA傳感器接口放大器數(shù)據(jù)采集器PCD-403B使用選購件的連接用接口套件，4臺(tái)設(shè)備同步采樣TEDS對(duì)應(yīng)(UI-10A,UI-11A)最大采樣頻率為10...